[发明专利]硅平面半导体器件的玻璃钝化方法有效
| 申请号： | 200910182406.5 | 申请日： | 2009-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101667535A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 程万坡;周明;顾理健 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江 平 |
| 地址： | 226600江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 半导体器件 玻璃 钝化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.硅平面半导体器件的玻璃钝化方法，其特征在于将光刻胶和玻璃粉的混合液均匀涂敷在完成了扩散工序待表面钝化的硅片的表面，置于烘箱内在145～155℃的温度下进行前烘；然后送入曝光机内曝光，再进行显影，去除不必要的光刻胶和玻璃粉；将显影后的硅片装入载片舟，推入扩散炉进行去胶；再将硅片装上载片舟，推入扩散炉，升温至820℃，在O2气氛中烧结20分钟后将载片舟拉出，取下硅片，即成；所述混合液中光刻胶和玻璃粉质量百分比分别为40％～60％、40％～60％。
2.根据权利要求1所述硅平面半导体器件的玻璃钝化方法，其特征在于在所述涂敷前，将所述硅片进行化学清洗并甩干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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