[发明专利]一种并联谐振振荡波产生装置无效
| 申请号: | 200910181654.8 | 申请日: | 2009-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN101615887A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
| 发明(设计)人: | 薛建仁 | 申请(专利权)人: | 薛建仁 |
| 主分类号: | H03B28/00 | 分类号: | H03B28/00;G01R31/14 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 210061江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 并联 谐振 振荡 产生 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种振荡波产生装置,尤其是可以用于电力试验的一种并联谐振振荡波产生装置。
背景技术
在专利号为ZL200820184923.7的《一种用于电气设备试验用的振荡波产生装置》的实用新型专利中,对现有德国SABA公司的直流激励振荡波产生装置做了清晰的描述,并对直流激励产生阻尼振荡波装置的缺点做了叙述。
在《一种用于电气设备试验用的振荡波产生装置》中提出:采用调频调压电源为激励,通过LC串联谐振产生谐振高电压后,用低电压电子开关闭合LC串联谐振回路,产生阻尼振荡波,该装置产生阻尼振荡波的过程中,其阻尼振荡波的幅值递减影响电子开关的导通状态,由此又影响阻尼振荡波的衰减过程。
发明内容
本发明针对《一种用于电气设备试验用的振荡波产生装置》存在的问题,提供一种并联谐振振荡波产生装置,该装置不需要电子开关,由LC并联回路自由衰减产生阻尼振荡波。
本发明的目的是这样实现的:由电源AC、电容C和电感L组成,其特征在于:该装置中的电源AC采用调频调压电源,并与电容C和电感L组成并联谐振回路。
在本发明中:所述的并联谐振回路由电感L与被测试电气设备的等效电容C组成。
在本发明中:所述的并联谐振回路由电容C与被测试电气设备的等效电感L组成。
在本发明中:所述的调频调压电源AC是:由IGBT组成的桥式逆变电路,市电整流后与桥式逆变电路的供电回路连接,每个IGBT上并联有续流二极管,IGBT的驱动单元电路由单片机MCU控制。
在本发明中:调频调压电源AC与LC并联谐振回路间设有激励变压器T,激励变压器的原边与调频调压电源AC相连接,激励变压器的次边与LC并联谐振回路相并联。
在本发明中:调频调压电源AC与电容C之间设有漏感变压器TL,漏感变压器原边与调频调压电源连接,漏感变压器次边与电容C并联,由漏感变压器的次边漏感L和电容C组成并联谐振回路。
在本发明中:调频调压电源AC的整流电路采用单向可控硅组成整流桥,其整流输出经过电容滤波与调频调压电源的桥式逆变电路相连接。
本发明的优点在于:关断调频调压电源的输出,其LC并联谐振回路自由衰减产生阻尼振荡波,在LC回路不需要电子开关。
附图说明
图1是并联谐振阻尼振荡波的原理图;
图2是交流激励电源与LC并联回路之间设有激励变压器的原理图;
图3是交流激励电源与LC并联回路之间设有漏感变压器的原理图;
图4是图3应用方式的一个具体实施例;
图5是本发明用于电气设备做局部放电量测量的具体应用。
具体实施方式
附图非限制性地公开了本发明的基本原理图及其具体实施例的实施方式,下面结合实施例对本发明作进一步的说明。
由图1可见,其基本原理是:当K闭合时,由交流激励电源AC给电感L和电容C并联回路提供交流激励电压,当激励电源AC的输出频率与电感L和电容C的谐振频率相同时,LC并联回路谐振,调节激励电源AC的输出幅值,使LC并联回路的谐振电压达到预定值后,将K打开,切断激励电源,由于电感L存在内阻R,L C回路就产生了阻尼振荡波f(t)。
由图2可见,在交流激励电源AC和LC并联谐振电路之间设有隔离用的激励变压器T,激励电源AC的输出通过激励变压器T,实现交流激励电源AC和LC并联谐振电路的电气绝缘。当交流激励电源AC与LC并联回路谐振时,调节激励电源AC的输出幅值,使LC回路上的谐振电压达到预定值,这时切断交流激励电源AC,LC并联回路就可以产生一个阻尼振荡波f(t)。
图3是图1的原理在实际应用的另一种形式:在交流激励电源AC和电容C之间设有漏感变压器TL,它与图2的区别仅在于:用一个漏感变压器TL取代激励变压器T和电感L,由漏感变压器次边的漏感L和C并联,当漏感L和C并联回路上的谐振电压达到预定值后,切断激励电源AC,就可以在漏感L和C的并联回路得到一个阻尼振荡波f(t)。
图4是图3的一个具体实现电路原理图。其中,调频调压电源AC包括:单向可控硅SCR1~SCR6组成的三相全桥整流电路,可控硅的触发电路DR1由单片机MCU控制;电源输入ACIN经过可控硅整流输出接滤波电容E,滤波后接IGBT逆变桥;IGBT逆变桥由Q1~Q4组成,Q1~Q4采用IGBT,四只IGBT分别并联一个续流二极管D1~D4,IGBT的驱动单元电路DR2和DR3由单片机MCU控制。
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