[发明专利]用于薄膜晶体管图像传感器阵列的减少ESD诱导的伪影的设计

权利要求书

1.一种制造能够降低由制造过程中的静电放电行为所产生的电位的图 像传感器阵列的方法，其中所产生的电位能够引发缺陷，该方法包括以下步 骤：

（a）提供绝缘基底；

（b）在所述基底上形成至少一个像素，该像素包括至少制造了一部分 的开关晶体管和至少制造了一部分的光电管，所述至少制造了一部分的开关 晶体管具有栅电极、源电极和漏电极，所述至少制造了一部分的光电管具有 上电极；

（c）在所述至少制造了一部分的开关晶体管和所述至少制造了一部分 的光电管上形成介电中间层；

（d）在所述介电中间层上沉积第一导电层；

（e）在所述第一导电层上形成过孔图案化的光刻层；

（f）利用所述过孔图案化的光刻层蚀刻第一过孔和第二过孔，所述第 一过孔和所述第二过孔位于所述第一导电层和所述介电中间层内并通过所 述第一导电层和所述介电中间层，所述第一过孔和所述第二过孔具有由所述 第一导电层和所述介电中间层的暴露部分形成的内壁，所述第一过孔暴露了 所述漏电极的一部分，所述第二过孔暴露了所述上电极的一部分；

（g）在所述第一导电层上、所述第一过孔和所述第二过孔的所述内壁 上、以及所述漏电极和所述上电极的暴露部分上沉积第二导电层；以及

（h）蚀刻除去部分所述第二导电层和部分所述第一导电层，以形成数 据线以及偏压线，所述数据线提供与所述漏电极的电接触，所述偏压线提供 与所述上电极的电接触；

（i）由于沉积在所述介电中间层上的所述第一导电层的存在，所述图 像传感器阵列的所述像素充分地防范了静电放电行为。

2.根据权利要求1所述的制造图像传感器阵列的方法，其中，所述第 一导电层由钛-钨形成。

3.根据权利要求1所述的制造图像传感器阵列的方法，其中，沉积所 述第一导电层的所述步骤（d）包括进行物理气相沉积过程。

4.根据权利要求1所述的制造图像传感器阵列的方法，其中，沉积所 述第二导电层的所述步骤（g）还包括：

在所述第一导电层上、所述第一过孔和所述第二过孔的所述内壁上、以 及所述漏电极和所述上电极的暴露部分上沉积第一亚层；以及

在所述第一亚层上沉积第二亚层。

5.根据权利要求4所述的制造图像传感器阵列的方法，其中：

所述第一导电层由钛-钨形成；

所述第一亚层由钛-钨形成；以及

所述第二亚层由铝形成。

6.根据权利要求4所述的制造图像传感器阵列的方法，其中：

所述第一导电层由钼形成；

所述第一亚层由钼形成；以及

所述第二亚层由铝形成。

7.根据权利要求4所述的制造图像传感器阵列的方法，其中，沉积所 述第二导电层的所述步骤（g）还包括：

在所述第二亚层上沉积第三亚层。

8.根据权利要求7所述的制造图像传感器阵列的方法，其中：

所述第一导电层由钛-钨形成；

所述第一亚层由钛-钨形成；

所述第二亚层由铝形成；以及

所述第三亚层由钛-钨形成。

9.根据权利要求1所述的制造图像传感器阵列的方法，其中，所述第 一导电层是使用在所述步骤（f）和所述步骤（h）的所述蚀刻过程中能够被 蚀刻的材料形成的。

10.根据权利要求1所述的制造图像传感器阵列的方法，其中，在形成 所述介电中间层之前，所述至少制造了一部分的开关晶体管和所述至少制造 了一部分的光电管仅制造了一部分。

11.根据权利要求1所述的制造图像传感器阵列的方法，

其中，蚀刻所述第一过孔和所述第二过孔的所述步骤（f）根据干蚀刻 技术来进行；以及

其中，蚀刻除去部分所述第二导电层和部分所述第一导电层的所述步骤 （h）根据湿蚀刻技术来进行。