[发明专利]固体摄像装置、照相机以及制造固体摄像装置的方法无效

专利信息
申请号: 200910179871.3 申请日: 2009-10-16
公开(公告)号: CN101729797A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 宫泽信二;武田健 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H04N5/335 分类号: H04N5/335;H04N3/15;H04N5/225;H01L27/146;H01L21/82
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴孟秋;梁韬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置 照相机 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种固体摄像装置,包括:

多个光电转换单元,被构造成由在其光接收面上接收的 光生成信号电荷,所述多个光电转换单元设置在基板的图像传 感区域中;

电荷读取单元,被构造成读取由所述光电转换单元生成 的信号电荷,其电荷读出沟道区域设置在所述基板的所述图像 传感区域中;

转移寄存器单元,被构造成转移通过所述电荷读取单元 从所述多个光电转换单元读取的信号电荷,其电荷转移沟道区 域设置在所述基板的所述图像传感区域中;以及

遮光单元,设置在所述基板的所述图像传感区域中,并 且具有在对应于各个光电转换单元的光接收面的区域中形成 的通过其传输光的开口,

其中,所述转移寄存器单元在所述基板的所述图像传感 区域中包括:

转移电极,通过设置在其间的栅极绝缘膜而与所述 电荷转移沟道区域和所述电荷读出沟道区域相对, 其中,所述遮光单元包括:

导电性遮光膜,覆盖所述基板的所述图像传感区域 中的所述转移电极,利用导电材料形成,使得包括通过 设置在其间的所述栅极绝缘膜而与所述电荷读出沟道区 域相对的部分,并且被电连接至所述转移电极,并且

其中,在所述电荷读取单元中,形成所述转移电极 和所述导电性遮光膜作为电荷读取电极,并且从所述光 电转换单元读取信号电荷。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述多个光电转 换单元沿垂直方向和水平方向布置在所述基板的所述图像传 感区域中,

其中,所述转移寄存器单元布置在沿所述垂直方向布置 的所述多个光电转换单元的列之间,并且

其中,所述导电性遮光膜在所述水平方向上延伸使得对 应于在所述水平方向上布置的所述多个光电转换单元的行,其 中形成有开口。

3.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,在所述遮光单元 中,

沿所述垂直方向布置的其间有狭缝的多个第一遮光膜被 设置为所述导电性遮光膜,以及

覆盖所述多个第一遮光膜之间的狭缝的第二遮光膜被设 置为在沿所述水平方向布置的所述多个光电转换单元的行之 间沿所述水平方向延伸。

4.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其中,所述第二遮光膜 包括在所述第一遮光膜上方形成的部分。

5.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其中,所述第一遮光膜 包括在所述第二遮光膜上方形成的部分。

6.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述转移电极使 用多晶硅来形成,并且所述导电性遮光膜使用钨来形成。

7.根据权利要求6所述的固体摄像装置,其中,在所述导电性遮 光膜的下表面上形成多晶硅膜。

8.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其中,在所述转移寄存 器单元中,

通过设置在其间的栅极绝缘膜而与所述电荷转移沟道区 域和所述电荷读出沟道区域相对的第一转移电极被设置作为 所述转移电极,

设置有第二转移电极,所述第二转移电极与所述电荷转 移沟道区域中的、从与所述第一转移电极相对的区域沿所述垂 直方向延伸的区域相对,以及

所述第一转移电极和所述第二转移电极在所述垂直方向 上并排交替布置,

其中,在所述遮光单元中,

所述第二遮光膜使用导电材料来形成,并且被电连 接至所述第二转移电极,并且

其中,所述转移寄存器单元以这样的方式形成,使得所 述第一遮光膜用作电荷转移配线,并将驱动信号传输至所述第 一转移电极,而所述第二遮光膜用作电荷转移配线,并将驱动 信号传输至所述第二转移电极。

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