[发明专利]灰色调掩模和灰色调掩模的制造方法

权利要求书

1.一种灰色调掩模，在被复制基板上具有用于形成厚抗蚀剂图形、薄抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域的厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部，所述薄抗蚀剂图形形成部由半透光部构成，所述厚抗蚀剂图形形成部由遮光部构成，所述无抗蚀剂区域形成部由透光部构成，其特征在于，

在透明基板上，在所述半透光部上形成有半透光膜，在所述遮光部上形成有遮光膜，并且，在所述遮光部与所述透光部的边界部设置有裕量区域，该裕量区域由半透光膜图形形成。

2.一种灰色调掩模，在被复制基板上具有用于形成厚抗蚀剂图形、薄抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域的厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部，所述薄抗蚀剂图形形成部由半透光部构成，所述厚抗蚀剂图形形成部由遮光部构成，所述无抗蚀剂区域形成部由透光部构成，其特征在于，

在透明基板上具有：遮光部，其层叠有半透光膜图形和遮光膜图形；半透光部，其在所述遮光部以外的部分形成有半透光膜图形；以及既未形成半透光膜又未形成遮光膜的透光部，

所述遮光部具有在所述透光部侧空出裕量区域而形成在所述半透光膜图形之上的遮光膜图形。

3.一种灰色调掩模，在被复制基板上具有用于形成厚抗蚀剂图形、薄抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域的厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部，所述薄抗蚀剂图形形成部由半透光部构成，所述厚抗蚀剂图形形成部由遮光部构成，所述无抗蚀剂区域形成部由透光部构成，其特征在于，

在透明基板上具有：遮光部，其由遮光膜和层叠在该遮光膜上的半透光膜形成；半透光部，其在遮光部以外的部分形成有半透光膜图形；以及既未形成半透光膜又未形成遮光膜的透光部，

所述遮光部具有在透光部侧空出裕量区域而形成在所述半透光膜图形之上的遮光膜图形。

4.如权利要求1至3中任一项所述的灰色调掩模，其特征在于，所述裕量区域的宽度是0.1～1μm。

5.如权利要求1至3中任一项所述的灰色调掩模，其特征在于，所述遮光膜由Cr系材料构成。

6.如权利要求1或2所述的灰色调掩模，其特征在于，所述遮光膜与所述半透光膜在其中的一种膜的刻蚀环境中，另一种膜具有耐受性。

7.如权利要求1或2所述的灰色调掩模，其特征在于，所述遮光膜具有Cr，所述半透光膜具有MoSi。

8.如权利要求1或2所述的灰色调掩模，其特征在于，在所述半透光膜和遮光膜之间设置具有刻蚀中止层功能的膜。

9.如权利要求8所述的灰色调掩模，其特征在于，具有所述刻蚀中止层功能的膜采用SiO₂或SOG。

10.一种灰色调掩模的制造方法，所述灰色调掩膜在被复制基板上具有用于形成厚抗蚀剂图形、薄抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域的厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部，所述薄抗蚀剂图形形成部由半透光部构成，所述厚抗蚀剂图形形成部由遮光部构成，所述无抗蚀剂区域形成部由透光部构成，其特征在于，所述灰色调掩模的制造方法具有：

在透明基板上准备至少层叠有半透光膜和遮光膜的掩模毛坯的工序；

遮光部图形形成工序，包含：在用于形成遮光膜图形的第1抗蚀剂膜上描绘第1描绘图形并将其显影，形成第1抗蚀剂图形，以该第1抗蚀剂图形作为掩模来刻蚀遮光膜的工序；以及

半透光膜图形形成工序，包含：在用于形成半透光膜图形的第2抗蚀剂膜上描绘第2描绘图形并将其显影，形成第2抗蚀剂图形，以该第2抗蚀剂图形作为掩模来刻蚀半透光膜的工序，

所述第1描绘图形是用于形成与在透光部侧空出所希望的裕量区域的位置对应的遮光部的图形，

所述第2描绘图形是与所述半透光部对应的图形。

11.如权利要求10所述的灰色调掩模的制造方法，其特征在于，在所述掩模毛坯的半透光膜与遮光膜之间，设置通过刻蚀除去遮光膜时用于保护半透光膜的缓冲膜。

12.一种灰色调掩模的制造方法，所述灰色调掩膜在被复制基板上具有用于形成厚抗蚀剂图形、薄抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域的厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部，所述薄抗蚀剂图形形成部由半透光部构成，所述厚抗蚀剂图形形成部由遮光部构成，所述无抗蚀剂区域形成部由透光部构成，其特征在于，所述灰色调掩模的制造方法具有：

在透明基板上准备至少形成有遮光膜的掩模毛坯的工序；

遮光部图形形成工序，包含：在用于形成遮光膜图形的第1抗蚀剂膜上描绘第1描绘图形并将其显影，形成第1抗蚀剂图形，以该第1抗蚀剂图形作为掩模来刻蚀遮光膜的工序；

在形成所述遮光部后的透明基板上形成半透光膜的工序；以及

半透光膜图形形成工序，包含：在用于形成所述半透光膜图形的形成在所述半透光膜上的第2抗蚀剂膜上描绘第2描绘图形并将其显影，形成第2抗蚀剂图形，以该第2抗蚀剂图形作为掩模来刻蚀半透光膜的工序，

所述第1描绘图形是用于形成与在透光部侧空出裕量区域的位置对应的遮光部的图形，

所述第2描绘图形是与所述半透光部对应的图形。