[发明专利]发光二极管散热基板及其制作方法无效
| 申请号: | 200910178899.5 | 申请日: | 2009-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN102034905A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
| 发明(设计)人: | 陈一璋 | 申请(专利权)人: | 陈一璋 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 散热 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其包括:
提供一导热金属基板,该金属为铝或铜;
在该导热金属基板的顶面依照预先决定的线路图案形成多个凹部;
在该导热金属基板的表面进行防腐蚀处理;
在该导热金属基板上形成具有线路和电镀导线的铜箔层,且依照该预先决定的线路封装区域图案露出该导热金属基板作为封装区域的顶面,而形成一待处理基板;
将该待处理基板经过电镀前处理后,沉浸于一化学镍镀液中,以无电解电镀的方式在该待处理基板暴露于外的金属表面形成一化学镍层,而获得一无电解电镀基板;
再在该无电解电镀基板顶面的化学镍层上形成金属层,该金属层至少包括一层以喷锡而形成的锡层或以电镀而形成的金层或银层;
去除电镀导线后施加防焊油墨于需要防焊的金属层表面,即获得该发光二极管散热基板。
2.根据权利要求1所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中在该导热金属基板上形成具有线路和电镀导线的铜箔层包括在一塑胶软板上、下两面分别压合一上铜箔和下铜箔而形成一铜箔软板,并依照该预先决定的线路封装区域图案在该铜箔软板形成多个穿孔,又以电镀方式连通二铜箔,再蚀刻该铜箔软板以形成具有线路和电镀导线的铜箔层层,再将该具有线路和电镀导线的铜箔层的底部施加绝缘胶,并在150~200℃的温度下与该导热金属基板进行压合,使其与绝缘胶接合,而露出该导热金属基板作为封装区域的顶面,形成该待处理基板。
3.根据权利要求2所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中在该铜箔软板形成多个穿孔后,还包括初步在该上、下铜箔以蚀刻方式形成线路和电镀导线,再将该铜箔软板浸在硫酸铜电镀液中,以在该铜箔软板表面以及穿孔的避免形成厚度为10μm~15μm的镀层。
4.根据权利要求2所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中所述的具有线路和电镀导线的铜箔层在150~200℃的温度下进行压合约30~50分钟。
5.根据权利要求1所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中所述的在该导热金属基板上形成具有线路和电镀导线的铜箔层包括在该导热金属基板的凹部内施以绝缘胶,以使得封装区域无绝缘胶存在,再将一铜箔片在150~200℃的温度下与该导热金属基板进行压合,使得铜箔片与绝缘胶接合而形成铜箔层,并依照该预先决定的线路图案在该铜箔层上将未与绝缘胶接合的部分蚀刻且移除,以形成线路与电镀导线,并露出该导热金属基板作为封装区域的顶面,形成该待处理基板。
6.根据权利要求5所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中所述的铜箔片在150~200℃的温度下与该导热金属基板进行压合约30~50分钟。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中所述的凹部的深度至少为0.05毫米,而绝缘胶的厚度小于0.05毫米。
8.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中所述的防腐蚀处理是以铬酸盐皮膜或氟化盐皮膜进行皮膜处理,以形成一皮膜层,其厚度为0.1~1微米。
9.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中所述的绝缘胶为环氧酚醛树脂。
10.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中当该导热基板为铝基板时,进行无电解电镀的步骤包括将该待处理基板先以锌置换处理后,再沉浸于一化学镍镀液中,使得该导热金属基板在暴露出来的表面形成一化学镍层;同时以触镀的方式使该铜箔线路与电镀导线表面形成一化学镍层。
11.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中当该导热基板为铜基板时,进行无电解电镀的步骤包括将该铜基板沉浸于一化学镍镀液中,并直接以触镀的方式使铜基板和铜箔在暴露出来的部分形成一化学镍层。
12.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的发光二极管散热基板的制作方法,其特征在于其中所述的金属层还包括在形成锡层、金层或银层之前在该化学镍层上电镀一铜层;在形成锡层、金层或银层之前,并在电镀该铜层之后在该铜层上形成一镍层,再使该锡层、金层或银层形成于该镍层上。
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