[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

读出电路，设置在半导体衬底上；

设置有金属线的层间介电膜，所述层间介电膜设置在所述半导体衬底上；

下部电极，设置在所述层间介电膜上，所述下部电极连接至所述金属线；

第一类型导电层图样，设置在所述下部电极上；

本征层，设置在所述半导体衬底上的整个表面的上方，以使所述本征层覆盖所述第一类型导电层图样；以及

第二类型导电层，设置在所述本征层上。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：上部透明电极，设置在所述第二类型导电层上。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一类型导电层图样由n型非晶硅制成。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二类型导电层由p型非晶硅制成。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述本征层由非晶硅制成。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一类型导电层图样具有比所述第二类型导电层的厚度更小的厚度，以及所述第二类型导电层具有比所述本征层的厚度更小的厚度。

7.一种用于制造图像传感器的方法，包括：

半导体衬底上形成读出电路；

在所述半导体衬底上形成设置有金属线的层间介电膜；

在所述层间介电膜上形成上部介电膜；

在所述上部介电膜上形成连接至所述金属线的下部电极；

在所述下部电极和所述上部介电膜上形成第一类型导电层；

图样化所述第一类型导电层，以在所述下部电极上形成第一类型导电层图样；

等离子体处理所述第一类型导电层图样；

在所述上部介电膜上形成本征层，以使所述本征层覆盖所述第一类型导电层图样；以及

在所述本征层上形成第二类型导电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中使用N₂O进行所述第一类型导电层图样的等离子体处理。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

所述第一类型导电层图样的所述等离子体处理后，H₂退火所述第一类型导电层图样；以及

氢化所述第一类型导电层图样。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：

使用H₂，H₂/He或NH₃等离子体处理所述下部电极和所述上部介电膜。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一类型导电层图样由n型非晶硅制成，所述第二类型导电层由p型非晶硅制成以及所述本征层由非晶硅制成。

12.根据权利要求7所述的方法，其中在所述上部介电膜上形成连接至所述金属线的所述下部电极的步骤包括：

图样化所述上部介电膜以形成通孔，以便所述通孔暴露所述金属线；

在设置有所述通孔的所述上部介电膜上顺序沉积阻挡膜和金属膜；以及

抛光所述金属膜和所述阻挡膜以在所述通孔中形成被连接至所述金属线上的所述下部电极。

13.一种用于制造图像传感器的方法，包括：

在半导体衬底上形成读出电路；

在所述半导体衬底上形成设置有金属线的层间介电膜；

在所述层间介电膜上形成上部介电膜；

在所述上部介电膜上形成连接到所述金属线的下部电极；

在所述下部电极和所述上部介电膜上形成第一类型导电层；

图样化所述第一类型导电层，以在所述下部电极上形成第一类型导电层图样；

退火所述第一类型导电层图样，以氢化所述第一类型导电层图样；

在所述上部介电膜上形成本征层，以使所述本征层覆盖所述第一类型导电层图样；以及

在所述本征层上形成第二类型导电层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中使用氢气退火进行所述第一类型导电层图样的退火。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：

退火所述第一类型导电层图样前，使用N₂O等离子体处理所述第一类型导电层图样。