[发明专利]横向DMOS晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910178836.X | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101714577A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李相容 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;张奇巧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 dmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS晶体管，包括：
P型本体区，形成在N阱中；
源极区和源极接触区，形成在所述P型本体区中；
漏极区，形成为与所述P型本体区隔开一个距离；
LOCOS，形成在所述P型本体区和所述漏极区之间的所述N阱的表面上；
主栅电极，形成在所述LOCOS和所述N阱上；以及
辅栅电极，形成在所述源极区和所述源极接触区之间。
2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其中所述辅栅电极是形成在所述源极区和所述源极接触区之间的沟槽型栅电极。
3.根据权利要求2所述的LDMOS晶体管，其中所述辅栅电极是通过在所述沟槽中埋置氧化物形成的栅电极。
4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其中所述辅栅电极在所述源极区和所述漏极区之间形成垂直沟道区。
5.一种用于制造LDMOS晶体管的方法，包括以下步骤：
在N阱中形成P型本体区；
在所述P型本体区中形成源极区和源极接触区；
在所述源极区和所述源极接触区之间形成辅栅电极；
形成与所述P型本体区隔开一个距离的漏极区；
在所述P型本体区和所述漏极区之间的所述N阱的表面
上形成LOCOS；以及
在所述LOCOS和所述N阱上形成主栅电极。
6.根据权利要求5所述的方法，其中形成辅栅电极的步骤包括在所述源极区和所述源极接触区之间形成沟槽的步骤。
7.根据权利要求5所述的方法，其中形成辅栅电极的步骤包括在所述沟槽中埋置氧化物的步骤。
8.根据权利要求5所述的方法，其中形成辅栅电极的步骤包括在所述源极区和所述漏极区之间形成垂直沟道区的步骤。
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