[发明专利]图像传感器和用于制造图像传感器的方法无效
申请号: | 200910178567.7 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN101715076A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 黄俊 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N3/15;H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 潘士霖;陈炜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 用于 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
在第一衬底处的读出电路;
在所述第一衬底上的层间电介质;
在所述层间电介质中的互连连接,所述互连连接电连接到所述读出电路;
在所述互连连接上的图像传感装置,所述图像传感装置包括第一导电型的层和第二导电型的层;
将所述图像传感装置的所述第一导电型的层与所述互连连接电连接的接触;
在所述第二导电型的层中的离子注入区;以及
在所述图像传感装置的像素边界处的像素分离层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述接触被布置在穿过所述图像传感装置以暴露所述互连连接的沟槽中。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述接触包括:
在所述沟槽的表面上的障壁金属层;以及
在所述障壁金属层上的接触插塞,所述接触插塞填充所述沟槽。
4.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述离子注入区包括第一导电型离子注入区,所述第一导电型离子注入区使所述接触与所述第二导电型的层相分离。
5.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述离子注入区具有与被布置在所述互连连接的较高侧上的所述第二导电型的层的深度相同的深度。
6.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述离子注入区具有比被布置在所述互连连接的较高侧上的所述第二导电型的层的深度更大的深度。
7.根据权利要求2所述的图像传感器,还包括在所述第一衬底处电连接到所述读出电路的电结区,
其中所述读出电路包括晶体管,其中所述电结区被布置在所述晶体管的源极处,由此在所述晶体管的源极和漏极之间提供电势差。
8.根据权利要求2所述的图像传感器,还包括在所述第一衬底处电连接到所述读出电路的电结区,
还包括在所述电结区与所述互连连接之间的第一导电型连接,以电连接所述电结区与所述互连连接,
其中所述第一导电型连接被布置在所述电结区的较高的部分处。
9.根据权利要求2所述的图像传感器,还包括在所述第一衬底处电连接到所述读出电路的电结区,
还包括在所述电结区与所述互连连接之间的第一导电型连接,以电连接所述电结区与所述互连连接,
其中所述第一导电型连接被布置在所述电结区的一侧处。
10.一种用于制造图像传感器的方法,所述方法包括:
在第一衬底处形成读出电路;
在所述第一衬底上形成层间电介质,并在所述层间电介质中形成电连接到所述读出电路的互连连接;
在所述互连连接上形成包括第一导电型的层和第二导电型的层的图像传感装置;
在所述图像传感装置处形成像素分离层;
在被布置于所述互连连接的较高侧上的所述第二导电型的层中形成第一导电型离子注入区;以及
形成将所述图像传感装置的所述第一导电型的层电连接到所述互连连接的接触。
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