[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件

权利要求书

1.一种氮化镓基化合物半导体发光器件，具有包括氮化镓基化合物的 p型半导体层和与该p型半导体层接触的透明导电膜，在该透明导电膜上 存在相对于所有金属成分含有20原子％或更高的构成半导体的金属的区 域。

2.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中构成半导 体的金属相对于所有金属成分的比例具有以下分布，越接近半导体/透明导 电膜界面，构成半导体的金属的比例越高。

3.根据权利要求2的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在距离半 导体/透明导电膜界面大于等于3nm的透明导电膜中，构成半导体的金属 相对于所有金属成分的比例为15原子％或更低。

4.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中透明导电 膜包括膜的密度低的透明导电膜接触层和膜的密度高的透明导电膜电流扩 散层，并且透明导电膜接触层与p型半导体层接触。

5.根据权利要求4的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中透明导电 膜电流扩散层在接近和远离p型半导体层的两侧采用不同的结构，并且在 远离p型半导体层的一侧的透明导电膜电流扩散层的结构是柱状结构。

6.根据权利要求5的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中接近p 型半导体层的一侧的结构层的膜厚度为30至100nm。

7.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在p型半 导体层中存在相对于所有金属成分以1～20原子％的比例含有透明导电膜 的金属成分的区域。

8.一种氮化镓基化合物半导体发光器件，具有包括GaN的半导体层 和与该半导体层接触的包括氧化铟锡的透明导电膜，在该透明导电膜上存 在相对于所有金属成分包含20原子％或更高的Ga的区域，所述所有金属 成分包含In、Sn及Ga。

9.根据权利要求8的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中Ga相对 于所述所有金属成分的比例具有以下分布，越接近半导体/透明导电膜界 面，Ga的比例越高。

10.根据权利要求9的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在距离 半导体/透明导电膜界面大于等于3nm的透明导电膜中，Ga相对于所述所 有金属成分的比例为15原子％或更低。

11.根据权利要求8的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中透明导 电膜包括膜的密度低的透明导电膜接触层和膜的密度高的透明导电膜电流 扩散层，并且透明导电膜接触层与半导体层接触。

12.根据权利要求11的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中透明导 电膜电流扩散层在接近和远离半导体层的两侧采用不同的结构，并且在远 离半导体层的一侧的透明导电膜电流扩散层的结构是柱状结构。

13.根据权利要求12的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中接近半 导体层的一侧的结构层的膜厚度为30至100nm。

14.根据权利要求8的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在半导 体层中存在相对于所述所有金属成分以1～20原子％的比例含有In以及Sn 的区域。