[发明专利]具有隔离的栅极驱动电路的功率转换器组件

权利要求书

1.一种功率转换器组件，所述功率转换器组件包括：

至少一个开关；

高频振荡器，所述高频振荡器耦接到所述至少一个开关并且构造成 基于提供到所述高频振荡器的直流(DC)功率产生高频波形，其中所 述高频振荡器是高频谐振腔振荡器；

功率缓冲器，所述功率缓冲器耦接到所述至少一个开关和所述高频 振荡器并且构造成基于所述高频波形控制所述至少一个开关的操作；

基底，所述基底包括多个陶瓷层和导电构件，并且其中所述高频振 荡器与所述基底成一整体；

其中所述基底内的所述多个陶瓷层和所述导电构件共同形成多个 无源电子部件，所述多个陶瓷层还形成与所述高频谐振腔振荡器相关 位于所述基底内的谐振腔；和

变压器和整流器，所述变压器和所述整流器与所述基底成一整体， 并且其中所述高频谐振腔振荡器、所述变压器和所述整流器至少部分 地由所述多个无源电子部件形成。

2.如权利要求1所述的功率转换器组件，其特征在于，所述基底包 括上表面和内层，所述变压器和整流器形成在所述基底的内层中。

3.如权利要求1所述的功率转换器组件，其特征在于，所述基底是 低温共烧陶瓷(LTCC)基底。

4.如权利要求3所述的功率转换器组件，其特征在于，还包括控制 电路，所述控制电路耦接到所述功率缓冲器并且构造成给所述功率缓 冲器提供控制信号，并且其中所述功率缓冲器还构造成基于所述高频 波形和所述控制信号控制所述至少一个开关的操作。

5.如权利要求4所述的功率转换器组件，其特征在于，所述高频波 形具有大于1兆赫(MHz)的频率。

6.如权利要求4所述的功率转换器组件，其特征在于，所述高频波 形具有在1兆赫(MHz)和1千兆赫(GHz)之间的频率。

7.如权利要求5所述的功率转换器组件，其特征在于，所述功率转 换器组件构造成将直流功率转换成交流(AC)功率。

8.如权利要求4所述的功率转换器组件，其特征在于，所述控制电 路包括发送器和接收器，并且其中所述发送器和所述接收器中的每个 的至少一部分至少部分地由所述无源电子部件形成。

9.如权利要求8所述的功率转换器组件，其特征在于，所述发送器 是高频电磁发送器以及所述接收器是高频电磁接收器。

10.一种自动功率转换器组件，所述自动功率转换器组件包括：

至少一个晶体管；

包括多个陶瓷层和无源电子部件的基底，所述无源电子部件至少部 分地形成高频振荡器，所述高频振荡器耦接到所述至少一个晶体管并 且构造成基于提供到所述高频振荡器的直流(DC)功率产生高频波形， 其中所述高频振荡器是高频谐振腔振荡器，所述多个陶瓷层还形成与 所述高频谐振腔振荡器相关位于所述基底内的谐振腔；

耦接到所述至少一个晶体管和所述高频振荡器的功率缓冲器，所述 功率缓冲器构造成基于所述高频波形控制所述至少一个晶体管的操 作；

其中所述基底是低温共烧陶瓷(LTCC)基底；

控制电路，所述控制电路耦接到所述功率缓冲器并且构造成给所述 功率缓冲器提供控制信号，并且其中所述功率缓冲器还构造成基于所 述高频波形和所述控制信号控制所述至少一个晶体管的操作；并且

其中所述基底内的所述无源电子部件还至少部分地形成耦接到所 述高频振荡器和所述功率缓冲器的变压器和整流器，并且其中所述基 底包括上表面，上表面具有上侧和下侧，其中所述变压器和整流器在 所述基底内形成到所述上表面的下侧。

11.如权利要求10所述的自动功率转换器组件，其特征在于，所述 高频波形具有大于100兆赫(MHz)的频率。