[发明专利]呼吸用的纳米级滤材结构及其制造方法

权利要求书

1.一种呼吸用的纳米级滤材结构，其特征在于，包含：

一顶闸门，具有复数个顶部开口；

一底闸门，平行于该顶闸门且具有复数个底部开口，该些底部开口与该些顶部开口互相错开；

复数个侧壁闸，位于该顶闸门与该底闸门之间且相邻于一顶部开口及一底部开口，每一侧壁闸具有平行于该顶闸门及该底闸门的复数个过滤栅栏并形成复数个过滤通道；及

复数个支撑体，位于该顶闸门与该底闸门之间且位于二侧壁闸的交会处；

其中，该些过滤通道具有300纳米以下的通道高度。

2.如权利要求1所述的纳米级滤材结构，其特征在于，该些顶部开口及该些底部开口的边长具有微米尺度的长度。

3.如权利要求1所述的纳米级滤材结构，其特征在于，该些侧壁闸位于该些顶部开口及该些底部开口的周围。

4.如权利要求1所述的纳米级滤材结构，其特征在于，该顶闸门的顶面更包含用以分解有机物的一薄膜。

5.如权利要求1所述的纳米级滤材结构，其特征在于，每一支撑体中包含一填充体。

6.如权利要求5所述的纳米级滤材结构，其特征在于，该填充体的材料为聚合物。

7.一种呼吸用的纳米级滤材结构的制造方法，其特征在于，该纳米级滤材结构包含复数个顶部开口区、复数个底部开口区、复数个侧壁闸区及复数个支撑体区，每一侧壁闸区相邻一顶部开口区及一底部开口区，该些支撑体区位于二侧壁闸区的交会处，其包含下列步骤：

(A1)于一基底上形成图案化的一提升层；

(A2)于部分的该提升层及部分的该基底上形成图案化的一第一支撑体层，使该些底部开口区不具有该第一支撑体层；

(A3)于该些底部开口区的该提升层上，以及于该些顶部开口区及该些侧壁闸区的该第一支撑体层上形成图案化的一第一牺牲层；

(A4)于该些侧壁闸区及该些支撑体区形成图案化的一第二支撑体层；

(A5)于该些顶部开口区、该些底部开口区及该些侧壁闸区形成图案化的一第二牺牲层；

(A6)于该些底部开口区及该些侧壁闸区的最顶层的牺牲层上，以及于该些支撑体区的最顶层的支撑体层上形成一顶闸门层；

(A7)去除该提升层及所有的牺牲层；及

(A8)移除该基底；

其中，前述每一牺牲层被形成小于或等于300纳米的厚度。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，于步骤(A2)中借由该第一支撑体层的图案化使该些顶部开口区及该些底部开口区的边长具有微米尺度的长度。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，于步骤(A4)中更包含将该些顶部开口区及该些底部开口区的周围皆定义有该些侧壁闸区。

10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，于步骤(A5)后更包含一步骤(A5-1)：依序重复步骤(A4)及(A5)，以形成复数层的支撑体层及复数层的牺牲层。

11.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，于步骤(A6)后更包含一步骤(A6-1)：于该顶闸门层上形成用以分解有机物的一薄膜。