[发明专利]真空机械引入装置有效

专利信息
申请号: 200910176675.0 申请日: 2009-09-24
公开(公告)号: CN102031492A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 张凯程 申请(专利权)人: 迎辉科技股份有限公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;王璐
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 真空 机械 引入 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种真空机械引入装置,特别涉及一种将外界旋转动力传递至真空系统内部的元件,以驱动该内部元件旋转的真空机械引入装置。

背景技术

现有半导体或光电元件的制程,常需要使用真空系统进行镀膜作业,而真空系统的腔体内部为较高度的真空环境,并且要与外界大气环境隔绝,因此要操作真空系统内部的元件时,必须通过一真空机械引入装置来达成,而用于操作旋转的引入装置称为旋转式真空机械引入装置,其结构主要包括:一装设在该真空腔体的外部的中空安装座以及一穿伸通过该安装座的转轴,该转轴的外端位于大气环境中,其内端伸入该真空腔体并连结该腔体内部的元件。该转轴的外端连结一动力源并可受驱动而绕其自身中心轴线转动,进而驱动该真空腔体内部的元件旋转。因此,该转轴必须能相对该安装座转动,同时,该安装座的内表面与该转轴的外表面之间必须保持气密,该安装座与真空腔体的锁固结合处也必须保持气密,才能隔绝大气与真空环境。

为了在气密隔绝的情况下使该转轴旋转,目前有一种旋转式真空机械引入装置利用磁流体作为隔绝手段,磁流体使动力传导为非接触式、无摩擦阻力,因此寿命较长,并且适合用在超高真空系统,但是其价钱昂贵,如果运用于普通真空度的真空系统,将显得浪费。另一种真空机械引入装置,如中国台湾专利第I247855号专利所公开的,是利用O型环封闭隔绝,虽然此种设备成本较低,但是其动力传导为接触式,机械摩擦阻力较大,造成O型环容易损坏,其它机械构件也会因为受到摩擦而寿命较短。由上述说明可知,此两种型态的装置无法同时兼顾低成本与低摩擦阻力的考量。

发明内容

本发明的目的是提供一种成本低、可降低摩擦阻力的真空机械引入装置。

本发明真空机械引入装置,安装于一真空腔体的一腔壁上,所述真空腔体界定出一腔体空间,而该真空机械引入装置包括:一固定地与该腔壁组装的分隔座、一入力机构以及一出力机构。

该分隔座包括一与该腔壁间隔的分隔端壁以及一自该分隔端壁的周缘朝该腔壁延伸连接的分隔围壁,该分隔围壁与该分隔端壁共同界定出一安装空间。该入力机构包括一可相对转动地设置于该分隔座的外部的入力轴座以及多个设置于该入力轴座上的第一磁性单元,所述入力轴座包括一罩覆于该分隔座的外周并供所述第一磁性单元安装的入力本体及一自该入力本体的一侧朝远离该腔壁的方向延伸的入力轴。

该出力机构包括一出力轴座以及多个设置于该出力轴座上的第二磁性单元,所述出力轴座包括一设置于该分隔座的安装空间的出力本体以及一自该出力本体延伸出并穿过该腔壁而伸入该腔体空间的出力轴,所述第二磁性单元安装在该出力本体上,并且分别与所述第一磁性单元内外对应。前述出力轴座可在该入力轴座转动时,受到所述第一磁性单元及所述第二磁性单元间的磁力作用而随着该入力轴座转动。

本发明所述的真空机械引入装置,该入力本体具有一个相邻于该分隔端壁的本体端壁以及一个自该本体端壁的周缘朝该腔壁方向延伸并间隔地位于该分隔围壁的外围的本体围壁,所述第一磁性单元彼此间隔地设置于该本体围壁上。

本发明所述的真空机械引入装置,该本体围壁具有多个彼此间隔的第一嵌卡段以及多个分别位于两两相邻的第一嵌卡段之间的第一安装槽,所述第一嵌卡段都具有二个分别朝相邻的第一安装槽突出的第一突卡部,所述第一磁性单元分别安装于所述第一安装槽,每一个第一磁性单元都包括多个相邻的第一磁性件,所述第一磁性件都具有二个间隔并与同侧的第一突卡部配合卡插的第一凹沟。

本发明所述的真空机械引入装置,该入力机构还包括一个组装在该本体围壁的一侧的固定环座以及多个分别对应所述第一安装槽并与该本体端壁结合的固定板,所述固定板及该固定环座分别位于所述第一磁性单元的两相反侧并定位所述第一磁性单元。

本发明所述的真空机械引入装置,该出力本体包括多个彼此间隔的第二嵌卡段以及多个位于两两相邻的第二嵌卡段之间的第二安装槽,所述第二嵌卡段都具有二个分别朝相邻的第二安装槽突出的第二突卡部,所述第二磁性单元分别安装于所述第二安装槽,每一个第二磁性单元都包括多个相邻的第二磁性件,所述第二磁性件都包括二个间隔并与同侧的第二突卡部配合卡插的第二凹沟。

本发明所述的真空机械引入装置,所述第一磁性单元及第二磁性单元都具有内外设置的一个第一磁极以及一个第二磁极,该第一磁性单元的第一磁极邻近该第二磁性单元的第二磁极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迎辉科技股份有限公司,未经迎辉科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910176675.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top