[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

包括具有第一氧化物半导体层的第一薄膜晶体管的像素部；以及 驱动电路，其包括：

第二薄膜晶体管，其具有：

第一栅电极；

第一栅电极上的栅极绝缘层；以及

栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层；

第三薄膜晶体管，其具有：

第二栅电极；

第二栅电极上的栅极绝缘层；

栅极绝缘层上的第三氧化物半导体层；以及

在栅极绝缘层中的接触孔，

经接触孔直接连接到第二栅电极的第一布线；以及

与第一栅电极和第二栅电极两者重叠的第二布线，其中所述栅 极绝缘层在其间插入，

其中，第二布线与第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层直 接接触。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一氧化物半导体 层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层包含铟、镓 及锌。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中将所述像素部和所述驱 动电路设置在同一衬底上。

4.一种显示装置，包括：

衬底上的像素部，所述像素部包括：

具有其间夹着栅极绝缘层的第一栅电极和所述第一栅电极上 的第一氧化物半导体层的第一薄膜晶体管；以及

所述衬底上的驱动电路，所述驱动电路包括：

所述栅极绝缘层上的布线；

第二薄膜晶体管，其具有：

第二栅电极；以及

在所述第二栅电极上的第二氧化物半导体层，在所述第 二栅电极和所述第二氧化物半导体层之间夹着所述栅极绝缘层，其中 所述第二氧化物半导体层与所述布线重叠；以及

第三薄膜晶体管，其具有：

第三栅电极，以及

在所述第三栅电极上的第三氧化物半导体层，在所述第 三栅电极和所述第三氧化物半导体层之间夹着所述栅极绝缘层，其中 所述第三氧化物半导体层与所述布线重叠；

其中，所述布线与所述第二氧化物半导体层、所述第三氧化物半 导体层和所述第三栅电极直接接触，以及

其中，所述布线经所述栅极绝缘层中形成的接触孔与所述第三栅 电极直接接触。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一氧化物半导体 层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层包含铟、镓 及锌。

6.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一栅电极及第二栅电极；

在所述第一栅电极及所述第二栅电极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层中形成接触孔；

形成通过所述接触孔与所述第二栅电极直接连接的第一布线及隔 着所述栅极绝缘层与所述第一栅电极及所述第二栅电极的双方重叠的 第二布线；以及

在所述栅极绝缘层和所述第二布线上形成与所述第一栅电极重叠 的第一氧化物半导体层，且在所述栅极绝缘层、所述第一布线和所述 第二布线上形成与所述第二栅电极重叠的第二氧化物半导体层，

其中，所述第二氧化物半导体层与所述第一布线及所述第二布线 直接接触。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中在形成所述 第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层之前，对所述栅极绝 缘层表面进行等离子体处理。

8.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中在形成所述 第一布线及所述第二布线之前，对所述栅极绝缘层表面及所述接触孔 底面进行等离子体处理。