[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

读出电路，其在第一基片中；

第一图像传感装置，其在所述第一基片的所述读出电路的一侧；

互连结构，其在所述第一基片的上方并且电连接到所述读出电路；以及

第二图像传感装置，其在所述互连结构的上方并且通过所述互连结构电连接到所述读出电路。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中像素的所述第二图像传感装置形成于除了垂直地位于所述像素的所述第一图像传感装置的上方的区域之外的区域。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述读出电路包括用于所述第一图像传感装置的光电荷转储的第一浮动扩散区域和用于所述第二图像传感装置的光电荷转储的第二浮动扩散区域，其中所述第一浮动扩散区域和第二浮动扩散区域具有相同的电势。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

电学结区域，其在所述读出电路的第二侧电连接到所述读出电路；以及

第一传导型连接结构，其在所述电学结区域和所述互连结构之间，用于电连接所述互连结构至所述电学结区域，

其中所述第一传导型连接结构布置在所述电学结区域的上部或一侧。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述读出电路包括晶体管，其中所述电学结区域布置在所述晶体管的源极以提供所述晶体管的源极和漏极之间的电势差。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述晶体管是转移晶体管，并且所述晶体管的源极的离子注入浓度比在所述晶体管的漏极处的浮动扩散区域的离子注入浓度小。

7.一种用于制造图像传感器的方法，包括：

在第一基片中形成读出电路；

在所述第一基片的所述读出电路的一侧形成第一图像传感装置；

形成在所述第一基片的上方并且电连接到所述读出电路的互连结构；以及

在所述互连结构的上方形成第二图像传感装置。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述第二图像传感装置包括在除了垂直地位于所述第一图像传感装置的上方的区域之外的区域形成第二图像传感装置。

9.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述读出电路包括形成用于所述第一图像传感装置的光电荷转储的第一浮动扩散区域和形成用于所述第二图像传感装置的光电荷转储的第二浮动扩散区域，其中所述第一浮动扩散区域和第二浮动扩散区域被形成为具有相同的电势。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括在形成所述互连结构之前在所述读出电路的第二侧形成电连接到所述读出电路的电学结区域。