[发明专利]用于辐射吸收和检测的半导体材料

权利要求书

1.用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量LiM²⁺G^V的并且显示出反萤石型排序的三元组成，其中化学计量部分是Li＝1， M²⁺＝1，和G^V＝1，其中M²⁺选自由以下组成的组：Be、Mg、Ca、Sr、 Ba、V、Cr、Mn、Fe、Ru、Os、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Zn、Cd、 Hg、Sn和Pb；其中G^V选自由以下组成的组：N、P、As、Sb、Bi；其 中Li包括⁶Li；并且

其中电子空穴对通过辐射吸收产生，并且电子空穴对通过产生电流 脉冲来检测。

2.用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量LiM²⁺G^V的并且显示出反萤石型排序的三元组成，其中化学计量部分是Li＝1， M²⁺＝1，和G^V＝1，其中M²⁺选自由以下组成的组：Be、Mg、Ca、Sr、 Ba、V、Cr、Mn、Fe、Ru、Os、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Zn、Cd、 Hg、Sn和Pb；其中G^V选自由以下组成的组：N、P、As、Sb、Bi；其 中Li基本上由⁷Li组成；并且

其中电子空穴对通过辐射吸收产生，并且电子空穴对通过产生电流 脉冲来检测。

3.根据权利要求1或2的材料，其中M²⁺和G^V都具有小于0.1靶 的热中子横截面。

4.根据权利要求1或2的材料，其中该材料吸收光子用于产生电 能。

5.根据权利要求1的材料，其中该材料吸收中子用于产生电能。

6.根据权利要求1或2的材料，其中该材料掺杂以用作Li、M²⁺或G^V的受体或供体的元素，由此产生p-型或n-型半导体。

7.根据权利要求6的材料，其中用作受体或供体的元素选自由以 下组成的组：Li、Na、K、Rb、Be、Mg、Cu、Ag、Au、B、Al、Ga、 In、Sc、Y、C、Si、Ge、Sn、O、S、Se和Te。

8.用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量Li(M₁²⁺， M₂²⁺，M₃²⁺，...)(G₁^V，G₂^V，G₃^V，...)的并且显示出反萤石型排序的混合组 成，其中化学计量部分是Li＝1，(M₁²⁺+M₂²⁺+M₃²⁺+...)＝1，和(G₁^V+ G₂^V+G₃^V+...)＝1，其中(M₁²⁺，M₂²⁺，M₃²⁺，...)选自由以下组成的组：Be、 Mg、Ca、Sr、Ba、V、Cr、Mn、Fe、Ru、Os、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、 Cu、Zn、Cd、Hg、Sn和Pb，和其组合；其中(G₁^V，G₂^V，G₃^V，...)选自由 以下组成的组：N、P、As、Sb、Bi和其组合；其中Li包括⁶Li；并且

其中电子空穴对通过辐射吸收产生，并且电子空穴对通过产生电流 脉冲来检测。