[发明专利]聚酰亚胺的前驱物组合物及其应用有效
申请号: | 200910174798.0 | 申请日: | 2006-11-17 |
公开(公告)号: | CN101698704A | 公开(公告)日: | 2010-04-28 |
发明(设计)人: | 吴仲仁;安治民 | 申请(专利权)人: | 长兴化学工业股份有限公司 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;C08G73/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 彭茜茜;徐迅 |
地址: | 中国台湾高*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 前驱 组合 及其 应用 | ||
技术领域
本案是中国专利申请200610162485.X的分案申请。本发明涉及一种聚酰 亚胺(polyimide,简称PI)的前驱物组合物,本发明还关于该组合物于聚酰亚 胺的制备应用。
背景技术
聚酰亚胺由于具有优异的热安定性及良好的机械、电气及化学性质,一直 是高性能高分子材料的首选。此外,由于半导体在特性上的要求越来越高,而 传统无机材料有其应用上的极限及缺点,而聚酰亚胺的特性,在某些方面正可 以弥补传统无机材料其不足之处。因此,当杜邦公司的芳香族聚酰亚胺技术开 发之后,即受到广泛的注意,且发展出许多具多用途的聚酰亚胺。
在半导体工业上,聚酰亚胺被广泛应用于钝化膜、应力缓冲膜、α粒子遮 蔽膜、干式蚀刻防护罩、微机电和层间绝缘膜等方面,且正陆续开发出其他新 用途。其中,以作为保护集成电路元件的涂膜的应用为主,因聚酰亚胺材料可 通过集成电路元件可靠性的测试。而且,聚酰亚胺的应用不仅只于集成电路工 业,它在电子构装、漆包线、印刷电路板、感测元件、分离膜及结构材料上都 相当重要,扮演着关键性材料的角色。
一般以二阶段的聚合缩合反应方式以合成聚酰亚胺。其中,通常于第一阶 段将二胺单体溶于如N-甲基吡咯酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基甲酰 胺(DMF)或二甲基亚砜(DMSO)的极性、非质子溶剂中,再加入近等摩尔的二酸 酐单体。其后,于低温或常温下进行缩合反应,形成聚酰亚胺前驱物 (precursor),即,聚酰胺酸(poly(amic acid);简称为PAA)。
接着,进行第二阶段,通过加热方式的酰亚胺化(thermal imidization) 或化学方式的酰亚胺化(chemical imidization),进行缩合脱水环化反应,将 聚酰胺酸转变为聚酰亚胺。
目前制备聚酰亚胺的反应流程可简述如下:
于上述制备方法中,如第一阶段所得的聚酰胺酸分子量未达一定标准(即, 分子量过小),于酰亚胺化后(imidization),无法得到具良好物性的聚酰亚胺 膜。然而,若第一阶段所得聚酰胺酸的分子量过高,则其黏度便会太大,以致 于操作性变差,易于涂布时有流平性不良等缺点。举例言之,于进行旋转涂布 时,容易产生中凸与厚边等不易流平现象。此外,过高的聚酰胺酸分子量,将 于进行第二阶段的酰亚胺化时,因分子间的交互作用以及分子链键长的缩短, 产生极大内应力,致使所涂布的基材弯曲变形。因此,为免除前述问题,文献 上业已广泛探讨第二阶段酰亚胺化的升温梯度曲线与内应力关系,并研究出各 式降低内应力的方式。然而,前述流平性与内应力问题,究其原因,均来自第 一阶段所得聚酰胺酸分子量过高所致。换言之,若能妥善控制聚酰胺酸分子量, 便可提供具优良物性的聚酰亚胺膜。
此外,聚酰胺酸相当容易吸湿,进而使聚酰胺酸与水分子反应而降解,故 通常需要保存于-20℃低温冷藏,以降低高分子降解反应进行。
上述问题,多年来持续困扰着从事聚酰亚胺研究的人士。材料特性与操作 性,诚如鱼与熊掌一般,无法兼得。本发明即针对前述问题所为的研发成果, 通过特殊的合成方式,可于兼顾操作性的情形下,提供具所需物性的聚酰亚胺 膜,以符合业界的需求。
发明内容
本发明的一个目的,在于提供一种聚酰亚胺的前驱物组合物,其包含酰胺 酸低聚物与一末端具有一酯基(-C(O)OR)与一羧基(-C(O)OH)的二酸酐衍生物 反应所形成的化合物。
本发明的另一目的,是提供一种聚酰亚胺,其利用本发明聚酰亚胺的前驱 物组合物聚合而得。
在本发明的第一方面,提供了一种用以提供聚酰亚胺的前驱物组合物,其 包含
(a)具下式(1)的酰胺酸低聚物
以及
(b)具下式(2)的化合物
其中R各自独立为具1至14个碳原子的直链或支链烷基、酚基或乙烯系 不饱和基;
G及G1可为相同或不同且各自独立为4价有机基团;
P为2价有机基团;及
m为1至100的整数;且
其中组份(a)与组份(b)的摩尔数比为0.8∶1至1.2∶1。
本发明的另一方面提供一种聚酰亚胺,其利用下列成分的组合物聚合而成:
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