[发明专利]氮化镓系化合物半导体的制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓系化合物半导体的制造方法，其步骤包含：

提供一氧化锌系半导体层；

形成一沾湿层于该氧化锌系半导体层之上；

氮化该沾湿层；

重复多次形成该沾湿层及氮化该沾湿层的步骤以形成一过渡层；

形成一氮化镓系半导体层于该过渡层之上。

2.如申请专利范围第1项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，形成该沾湿层系包含使用三甲基铝、三甲基镓、三甲基铟、三乙基铝、三乙基镓或三乙基铟反应前驱物。

3.如申请专利范围第1项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，系包含使用氨气、二甲基联胺或第三丁基联胺反应前驱物氮化该沾湿层。

4.如申请专利范围第1项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，形成该过渡层的温度不大于900℃。

5.如申请专利范围第1项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，形成该氮化镓系半导体层的最佳温度范围介于850～1050℃。

6.如申请专利范围第1项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，该氧化锌系半导体层系为形成于不同块材基板之上。

7.如申请专利范围第6项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，该不同块材基板系包含蓝宝石、碳化硅、氧化镁、氧化镓、氧化锂镓、氧化锂铝、尖晶石、硅、锗、砷化镓、磷化镓、玻璃或二硼化锆。

8.如申请专利范围第6项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，该块材基板更包含具凹凸图案化的表面。

9.如申请专利范围第1项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，该氧化锌系半导体层系为一氧化锌单晶块材基板。

10.如申请专利范围第1项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，形成该过渡层的方法，更包含于第一温度下，形成一沾湿层于该氧化锌系半导体层之上，于第二温度下，氮化该沾湿层。

11.如申请专利范围第10项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，第二温度不小于第一温度。

12.如申请专利范围第1项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，该氧化锌系半导体层更包含具有凹凸图案化的表面。

13.一种氮化镓系化合物半导体的制造方法，其步骤包含：

提供一氧化锌系半导体层；

形成一第一过渡层于该氧化锌系半导体层之上；

形成一第二过渡层于该第一过渡层之上；以及

形成一氮化镓系半导体层于该第二过渡层之上。

14.如申请专利范围第13项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，形成该第一过渡层的方法，更包含重复多次形成一第一沾湿层及氮化该第一沾湿层的步骤。

15.如申请专利范围第13项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，形成该第二过渡层的方法，更包含重复多次形成一第二沾湿层及氮化该第二沾湿层的步骤。

16.如申请专利范围第13项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，形成该第二过渡层的温度不小于形成该第一过渡层的温度。

17.如申请专利范围第14项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，系包含使用三甲基铝、三甲基镓、三甲基铟、三乙基铝、三乙基镓或三乙基铟反应前驱物，以形成该第一沾湿层。

18.如申请专利范围第15项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，系包含使用三甲基铝、三甲基镓、三甲基铟、三乙基铝、三乙基镓或三乙基铟反应前驱物，以形成该第二沾湿层。

19.如申请专利范围第13项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，系包含使用氨气、二甲基联胺或第三丁基联胺反应前驱物形成该第一过渡层以及该第二过渡层的氮化沾湿层的步骤。

20.如申请专利范围第13项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，该氧化锌系半导体层更包含具有凹凸图案化的表面。

21.如申请专利范围第13项所述的氮化镓系化合物半导体的制造方法，其中，提供的氧化锌系半导体层系形成于一具凹凸图案化的块材基板之上。