[发明专利]用于减少图像传感器器件中交叉串扰的方法和结构

权利要求书

1.一种制造图像传感器器件的方法，包括：

提供具有正面和背面的半导体衬底；

在所述半导体衬底的正面形成第一隔离结构；

从所述背面减薄所述半导体衬底；以及

在所述半导体衬底的背面形成第二隔离结构；

其中所述第一和第二隔离结构相对于彼此移动，并且其中光辐射以光 入射角投射到所述图像传感器器件上，所述第一隔离结构和第二隔离结构 移动相关于所述光入射角的距离。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述半导体衬底的正面邻 近于所述第一隔离结构形成光传感区；以及

在所述半导体衬底的背面邻近于所述第二隔离结构形成另一个光传感 区。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述距离近似等于tan(所述光 入射角)x(1/2)x(所述半导体衬底减薄后的厚度)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一隔离结构包括蚀刻 从所述半导体衬底的正面延伸的第一沟槽，并将所述第一沟槽用电介质材 料填充；以及

其中形成所述第二隔离结构包括蚀刻从所述半导体衬底的背面延伸的 第二沟槽，并将所述第二沟槽用所述电介质材料填充。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一隔离结构包括：使 用从400到500KeV的注入能量和从3x10¹²到1x10¹³ atoms/cm²的剂量水平 将硼注入所述半导体衬底的正面；以及

其中形成所述第二隔离结构包括：使用从400到500KeV的注入能量 和从3x10¹²到1x10¹³ atoms/cm²的剂量水平将硼注入所述半导体衬底的背面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一隔离结构包括：使用 从600到800KeV的注入能量和从3x10¹²到1x10¹³ atoms/cm²的剂量水平将 磷注入所述半导体衬底的正面；以及

其中形成所述第二隔离结构包括：使用从600到800KeV的注入能量 和从3x10¹²到1x10¹³ atoms/cm²的剂量水平将磷注入所述半导体衬底的背面。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在减薄所述器件衬底之前，将 载体衬底键合到所述半导体衬底的正面。

8.一种制造图像传感器器件的方法，包括：

提供半导体衬底；

对所述半导体衬底进行第一离子注入工艺，以形成第一掺杂隔离特征，所 述第一离子注入工艺使用第一注入能量；

对所述衬底进行第二离子注入工艺，以形成第二掺杂隔离特征，所述第二 离子注入工艺使用不同于所述第一注入能量的第二注入能量；以及

在衬底中形成第一和第二光传感元件；

其中所述第一和第二掺杂隔离特征设置于所述第一光传感元件和所述第 二光传感元件之间，其中所述第一和第二掺杂隔离特征相对于彼此移动，并且， 其中光辐射以光入射角投射到所述图像传感器器件上，其中所述第一掺杂隔离 特征和所述第二掺杂隔离特征移动与所述光入射角相关的距离。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一注入能量大于所述第二注 入能量；

其中所述第一掺杂隔离特征为深隔离特征；以及

其中所述第二掺杂隔离特征为浅隔离特征

。