[发明专利]形成保护层的材料、保护层及等离子体显示面板无效
| 申请号: | 200910173050.9 | 申请日: | 2009-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN101665257A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
| 发明(设计)人: | 金哉赫;文圣晥;姜东贤;尤里·马图雷维克;秋希伶;李冞炫;金昶赫;崔钟书 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | C01F5/04 | 分类号: | C01F5/04;H01J17/02;H01J17/49;H01J17/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 保护层 材料 等离子体 显示 面板 | ||
1.一种由以下方法制备的氧化镁粉末,该方法包括:
在空气中将镁加热到足以产生镁蒸汽的温度;
使镁与空气反应并自然氧化以产生所述氧化镁粉末,
其中所述氧化镁粉末具有阴极发光光谱的在300nm到370nm波长的第一发射峰和在600到640nm波长的第二发射峰,
并且其中所述第一发射峰与所述第二发射峰的强度比从1∶0.4到1∶0.6。
2.如权利要求1所述的氧化镁粉末,其中所述氧化镁粉末包括镍、铁、硼、硅、锰、铬、钙、铜、锆、铝和钠,每个的重量比小于2ppm。
3.如权利要求1所述的氧化镁粉末,还包括在700nm到800nm波长的第三发射峰,其中所述第一发射峰与第三发射峰的强度比从1∶0.25到1∶0.45。
4.一种保护层,包括:
氧化镁,具有阴极发光光谱的在300nm到370nm波长的第一发射峰和在600到640nm波长的第二发射峰,
其中所述第一发射峰与所述第二发射峰的强度比从1∶0.4到1∶0.6。
5.如权利要求4所述的保护层,其中所述氧化镁包括镍、铁、硼、硅、锰、铬、钙、铜、锆、铝和钠,每个的重量比小于2ppm。
6.如权利要求4所述的保护层,其中所述氧化镁具有在700nm到800nm波长的第三发射峰,其中所述第一发射峰与所述第三发射峰的强度比从1∶0.25到1∶0.45。
7.一种等离子体显示面板,包括:
前面板,光穿过该前面板发射到所述等离子体显示面板的外部,
后面板,磷光体设置在该后面板上,
多个透明电极,设置在前玻璃基板上,
汇流电极,设置在所述透明电极上并平行于所述透明电极,
前电介质层,构造为覆盖所述透明电极和所述汇流电极,
保护层,构造为覆盖所述前电介质层,以及
放电气体,
其中所述保护层包括氧化镁,该氧化镁具有阴极发光光谱的在300nm到370nm波长的第一发射峰和在600到640nm波长的第二发射峰,
其中所述第一发射峰与所述第二发射峰的强度比从1∶0.4到1∶0.6。
8.如权利要求7所述的等离子体显示面板,其中所述保护层包括第一保护部分和第二保护部分,
其中所述第一保护部分包括多晶氧化镁,
其中所述第二保护部分包括所述氧化镁。
9.如权利要求8所述的等离子体显示面板,其中所述第二保护部分不规则地形成在所述第一保护部分上。
10.如权利要求8所述的等离子体显示面板,其中所述第二保护部分的最大强度是所述第一保护部分的最大强度的0.5到10倍。
11.如权利要求7所述的等离子体显示面板,其中所述第一保护部分包括多晶氧化镁,该多晶氧化镁具有在380nm到400nm波长的阴极发光光谱发射峰。
12.如权利要求7所述的等离子体显示面板,其中所述氧化镁包括镍、铁、硼、硅、锰、铬、钙、铜、锆、铝和钠,每个的重量比小于2ppm。
13.如权利要求7所述的等离子体显示面板,其中所述氧化镁具有在700nm到800nm波长的第三发射峰,其中所述第一发射峰与所述第三发射峰的强度比从1∶0.25到1∶0.45。
14.如权利要求8所述的等离子体显示面板,其中所述第二保护部分基本上覆盖所述第一保护部分的整个上表面。
15.如权利要求8所述的等离子体显示面板,其中通过从图案化和注入印刷组成的组中选出的一种方法来形成所述第二保护部分。
16.如权利要求7所述的等离子体显示面板,其中所述放电气体包括Xe。
17.如权利要求16所述的等离子体显示面板,其中所述放电气体包括约10%的Xe。
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