[发明专利]成膜装置、基板处理装置及旋转台无效
申请号: | 200910172116.2 | 申请日: | 2009-09-04 |
公开(公告)号: | CN101665920A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 加藤寿;本间学;羽石朋来 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/00;H01L21/316;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 处理 旋转 | ||
1.一种成膜装置,在真空容器内将相互反应的至少两种反 应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环,从而层 叠多层反应生成物的层而形成薄膜,该成膜装置包括:
旋转台,其设置在上述真空容器内;
基板载置区域,其为了将基板载置在上述旋转台上而设置;
第1反应气体供给部件,其用于向上述旋转台的上述基板 的载置区域侧的面供给第1反应气体;
第2反应气体供给部件,其设置为沿上述旋转台的旋转方 向离开上述第1反应气体供给部件,用于向上述旋转台的上述 基板的载置区域侧的面供给第2反应气体;
分离区域,其为了分离被供给上述第1反应气体的第1处理 区域和被供给第2反应气体的第2处理区域的气氛,而在上述旋 转方向上位于第1、第2处理区域之间;该分离区域包括顶面和 用于供给分离气体的分离气体供给部件,该顶面位于上述分离 气体供给部件的上述旋转方向两侧,在顶面与旋转台之间形成 有用于使分离气体从该分离区域向处理区域侧流动的狭窄的空 间;
中心部区域,其为了分离上述第1处理区域和上述第2处理 区域的气氛而位于真空容器内的中心部,且形成有用于将分离 气体喷出到旋转台的基板载置面侧的喷出孔;
排气口,其用于将上述反应气体与扩散到上述分离区域的 两侧的分离气体以及从上述中心部区域喷出的分离气体一起排 出;
上部固定构件及下部固定构件,能以在上述旋转台的中心 部周边上下夹着上述旋转台的方式压接固定上述旋转台,
上述上部固定构件由石英或陶瓷形成。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其中,
上述下部固定构件由陶瓷形成。
3.根据权利要求1所述的成膜装置,该成膜装置包括:
在上述下部固定构件的至少与上述旋转台接触的区域的表 面上形成有陶瓷膜。
4.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
上述下部固定构件与上述旋转台相接触的区域的、形成在 下部固定构件表面上的陶瓷膜的表面为镜面。
5.根据权利要求1所述的成膜装置,其中,
在上述旋转台的表面的、与上述上部固定构件及上述下部 固定构件相接触的区域形成有陶瓷膜。
6.根据权利要求5所述的成膜装置,其中,
在上述旋转台的形成有陶瓷膜的区域,与上述上部固定构 件及上述下部固定构件相接触的陶瓷膜的表面为镜面。
7.根据权利要求3所述的成膜装置,其中,
上述陶瓷膜由氧化铝、氧化钇、氧化铝和氧化钇的混合材 料中的任一种形成。
8.根据权利要求1所述的成膜装置,其中,
上述旋转台由石英、碳及陶瓷中的任一种形成。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的