[发明专利]成膜装置、基板处理装置、成膜方法无效
| 申请号: | 200910172115.8 | 申请日: | 2009-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN101665919A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
| 发明(设计)人: | 加藤寿;本间学;羽石朋来;相川胜芳 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/00;H01L21/316 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装置 处理 方法 | ||
1.一种成膜装置,其在真空容器内将包括第1反应气体和第2反应气体的至少两种原料气体按顺序供给并且进行上述至少两种上述原料气体按顺序供给的供给循环,从而形成薄膜,其特征在于,
包括:
旋转台,能旋转地设于上述真空容器内,具有载置基板的基板载置部;
第1反应气体供给部和第2反应气体供给部,为了供给上述第1反应气体和上述第2反应气体,分别从上述旋转台的周缘的互相不同的位置朝向旋转中心设置;
第1分离气体供给部,为了供给分离上述第1反应气体和上述第2反应气体的第1分离气体,从上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部之间的上述旋转台的周缘位置朝向旋转中心设置;
第1下表面区域,其是包括上述第1反应气体供给部的上述真空容器的顶板的下表面,设于距上述旋转台的距离为第1高度的位置;
第1空间,其形成在上述第1下表面区域和上述旋转台之间;
第2下表面区域,其是包括上述第2反应气体供给部的上述顶板的下表面,设于距上述旋转台的距离为第2高度的离开上述第1下表面区域的位置;
第2空间,其形成在上述第2下表面区域和上述旋转台之间;
第3下表面区域,其是包括上述第1分离气体供给部并沿着上述旋转台的旋转方向位于上述第1分离气体供给部的两侧的上述顶板的下表面,设于距上述旋转台低于上述第1高度和上述第2高度的第3高度的位置;
狭窄的第3空间,其形成在上述第3下表面区域和上述旋转台之间,具有供从上述第1分离气体供给部供给来的上述第1分离气体在上述第1空间和上述第2空间中流动的上述第3高度;
位置检测部件,用于检测上述旋转台的旋转位置;
被检测部,其设于上述旋转台的周缘,被上述位置检测部件检测;
中心部区域,其是上述顶板的下表面,设有第2分离气体供给部,该第2分离气体供给部用于将分离上述第1反应气体和上述第2反应气体的第2分离气体供给到上述旋转台的旋转中心的上述基板载置部侧;
排出口,用于将上述第1反应气体和上述第2反应气体与喷出到上述第3空间的两侧的上述第1分离气体和自上述中心部区域喷出的上述第2分离气体一起排出。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
上述位置检测部件是激光传感器。
3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
上述激光传感器通过该激光传感器和上述旋转台的表面之间的距离的变化来检测上述被检测部。
4.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,
上述被检测部包括设于上述旋转台的表面、距该表面具有互相不同的高度差的第1和第2台阶部,
上述第2台阶部沿着上述旋转台的上述旋转方向而与上述第1台阶部的后方相接地设置。
5.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,
上述位置检测部件还包括:
具有发光元件和受光元件、检测上述旋转台的旋转轴的旋转位置的光电传感器;
设在上述旋转轴的侧周面、通过在上述发光元件和上述受光元件之间进行遮光而被上述光电传感器检测的遮光部。
6.根据权利要求5所述的成膜装置,其特征在于,
上述被检测部设于上述旋转台的表面、包括距该表面具有高度差的台阶部。
7.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
上述被检测部是被设在上述旋转台的上表面的周缘侧的径向的划线。
8.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
在上述旋转台的旋转中心的下侧具有用于供给将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的第3分离气体的第3分离气体供给部。
9.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
在上述真空容器的底面和上述旋转台之间具有供给将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的第4分离气体的第4分离气体供给部。
10.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
替代上述第1下表面区域,包括:
包含上述第1反应气体供给部并设在距上述旋转台低于上述第1高度的位置的第4下表面区域;
与上述第4下表面区域相邻并设在距上述旋转台的距离为上述第1高度的位置的第5下表面区域。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





