[发明专利]光电组件及其制造方法以及具有多个光电组件的装置有效
| 申请号: | 200910171922.8 | 申请日: | 2005-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN101685823A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
| 发明(设计)人: | 拉尔夫·维尔特;赫贝特·布伦纳;斯特凡·伊莱克;迪特尔·艾斯勒 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/8222;H01L31/0224;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 炜;许伟群 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 组件 及其 制造 方法 以及 具有 装置 | ||
本申请是申请日为2005年2月18日的、申请号为200580005373.7(国 际申请号为PCT/DE2005/000281)及发明名称为“光电组件、具有多个光电 组件的装置和用于制造光电组件的方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种光电组件、一种具有多个光电组件的装置和一种用于制 造光电组件的方法。
背景技术
在制造这种类型的常规的光电组件时,通常需要单处理步骤,如例如在 壳体中布置半导体功能区域或包括半导体功能区域的半导体芯片,半导体芯 片通过接合线与外部端子的接触,或以保护的包封(Umhuellung)来将半导 体芯片压注包封。与可同时在多个元件上执行的处理步骤相比,单处理步骤 通常是成本密集的。
半导体功能区域例如可在晶片复合(Waferverbund)中由半导体层序列 来构建,其中该晶片复合包括在承载层上所设置的半导体层序列。之后晶片 复合通常被分割成半导体芯片,其在用于光电组件的单处理步骤中可被继续 处理。
此外,在常规的组件中,构建非常平的结构常常由于半导体功能区域借 助接合线的接触而变得困难。接合线的弧通常相对高,且可基本共同确定光 电组件的高度。与半导体功能区域分离构建的壳体,其空间尺寸常常明显大 于半导体功能区域的空间尺寸,也可使小光电组件的构建变得困难。
发明内容
本发明的任务是,说明一种光电组件和一种具有多个可简化地、且成本 有利地制造的光电组件的装置,以及一种简化的用于光电组件的制造方法。
根据第一实施形式,根据本发明的光电组件包括具有有源区和横向主延 伸方向的半导体功能区域,其中半导体功能区域具有至少一个穿过该有源区 的贯穿部(Durchbruch),且在贯穿部的区域中设置有连接导体材料,该连 接导体材料至少在贯穿部的部分区域中与有源区电隔离。
根据本发明的另一实施例,光电组件包括具有有源区和横向主延伸方向 的半导体功能区域,其中半导体功能区域具有横向的、形成有源区的边界的 侧面,且在横向上在侧面之后设置有连接导体材料,其至少在侧面的部分区 域中与有源区电隔离。必要时,侧面可横向地形成半导体功能区域的边界。 侧面可尤其部分地在横向上形成半导体功能区域的边界。此外侧面可平坦 地,即基本上没有凹入或凸起地、特别是在横向上没有凹处地来实施。
优选的是,在半导体功能区域之后设置有由造型材料(Formmasse)构 成的层,其可自支承地(freitragend)或机械上能承载地来构建。该造型材 料层可进一步以包封(Umhuellung)、封装元件或稳定层的形式来构建,如 下面更详细地阐述的那样。
根据本发明的组件可有利地尽可能或完全在晶片复合中制造。在根据本 发明的光电组件中,相对成本密集和/或昂贵的单处理步骤的数目可有利地 减少。特别有利的是可避免单处理步骤。
在本发明的范围内,在制造光电组件期间设置在承载层上的半导体层序 列被视为晶片复合,其中该半导体层序列为了构建多个半导体功能区域而设 置。在组件制造期间,半导体功能区域至少部分地在承载层上的复合 (Verbund)中由半导体层序列的区域来形成。承载层可通过生长衬底来形 成或包括这种生长衬底,其中半导体层序列在该生长衬底上例如被外延地制 造。
必须说明,在本发明的范围内,在晶片复合中制造光电组件期间,在半 导体层序列中产生的穿过有源区的贯穿也可被视为贯穿部。
特别是用于制成的光电组件的电接触的接触结构可至少部分地、优选为 完全地已经在晶片复合中被制造。优选的是,光电组件的接触至少部分地通 过导电的连接导体材料实现,其可已经设置在形成有源区边界的侧面的区域 内或在穿过有源区的贯穿部的区域内的晶片复合中。连接导体材料例如含有 金属,如Au、Al、Ag、Ti、Pt、Sn或具有这些材料中的至少一个的合金。
在本发明的一种优选的扩展方案中,连接导体材料在横向上,特别是在 有源区的区域内,与半导体功能区域相间隔,由此减小在组件的工作中短路 的危险。为此连接导体材料可设置在半导体功能区域的特别是横向的边缘区 域中和/或与侧面相间隔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





