[发明专利]微电子装置及制造方法、微机电封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种微电子装置的制造方法，其特征在于其包括：

提供一基底，具有一CMOS电路区与一微机电区；

在该基底的该CMOS电路区内形成至少一半导体元件；

在该基底上形成至少一第一金属层、多个第一接触窗与至少一第一氧化层，其中该至少一第一金属层与该至少一第一氧化层交错层叠，而该些第一接触窗位于该至少一第一氧化层内，并连接至该至少一第一金属层；

在该至少一第一氧化层位于该微机电区的部分上形成一第一保护层；

在该至少一第一氧化层及该第一保护层上形成多层第二金属层、多个第二接触窗与多层第二氧化层，其中该些第二金属层与该些第二氧化层交错层叠，而该些第二接触窗位于该些第二氧化层内，并连接至相对应的该些第二金属层，且位于该微机电区上的部分该些第二金属层、部分该些第二接触窗及部分该些第二氧化层构成一微机电结构，而该些第二金属层、该些第二接触窗及该些第二氧化层位于该CMOS电路区上的部分与该至少一第一金属层、该些第一接触窗与该至少一第一氧化层位于该CMOS电路区上的部分构成一内连线结构；

在该内连线结构上形成一第二保护层，以覆盖住该内连线结构；以及

移除该微机电区上的部分该些第二氧化层，以使该微机电结构部份地悬于该基底上方，而构成一微机电元件。

2.根据权利要求1所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中在移除该微机电区内的该些第二氧化层后，更包括移除该第二保护层。

3.根据权利要求2所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中所述的第二保护层的材质包括非晶硅，移除该第二保护层的方法包括采用氟化氙气体蚀刻。

4.根据权利要求2所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中在移除该第二保护层的步骤中，更包括同时移除该第一保护层。

5.根据权利要求1所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中移除该微机电区内的部分该些第二氧化层的方法包括使用氢氟酸蒸气蚀刻。

6.根据权利要求1所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中所述的第一氧化层掺有磷离子，且在移除该第二保护层后，该第一保护层仍覆盖于该第一氧化层位于该微机电区的部分上。

7.一种微电子装置的制造方法，其特征在于其包括：

提供一基底，具有一CMOS电路区与一微机电区；

在该基底的该CMOS电路区内形成至少一半导体元件；

在该基底上形成多层金属层、多个接触窗与多层第一氧化层，其中该些金属层与该些氧化层交错层叠，而该些接触窗位于该些氧化层内，并连接至相对应的该些金属层，以在该CMOS电路区上构成一内连线结构，而位于该微机电区上的部分该些金属层、部分该些接触窗及部分该些氧化层构成一微机电结构，且位于该微机电结构上方的该金属层具有多个第一开口；

在该内连线结构上形成一保护层，以覆盖住该内连线结构；

在该微机电区上方形成一遮罩层，该遮罩层具有多个第二开口，且该些第二开口与该些第一开口交错分布；

以该些第一开口与该些第二开口为蚀刻通道移除该微机电区上的部分该些氧化层，以使该微机电结构部份地悬于该基底上方，而构成一微机电元件；以及

形成一封装层覆盖于该保护层及该遮罩层上，其中该封装层填入该些第二开口内而将该微机电元件密封于该些金属层之间。

8.根据权利要求7所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中所述的遮罩层与该保护层在同一工艺中形成。

9.根据权利要求7所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中更包括移除该封装层位于该内连线结构上的部分以及该保护层。

10.根据权利要求9所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中所述的半导体元件包括一光感测器，且在移除该封装层位于该内连线结构上的部分以及该保护层之后，更包括在该光感测器上方的该内连线结构上形成一微透镜。

11.根据权利要求9所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中所述的封装层与该保护层的材质包括非晶硅，且移除该封装层与该保护层的方法包括采用氟化氙气体蚀刻。

12.根据权利要求7所述的微电子装置的制造方法，其特征在于其中所述的移除该微机电区内的部分该些氧化层的方法包括使用氢氟酸蒸气蚀刻。