[发明专利]存储器控制方法有效

专利信息
申请号: 200910171040.1 申请日: 2009-08-26
公开(公告)号: CN101996115A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 林雍伦;张权德;罗楠焜 申请(专利权)人: 华硕电脑股份有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 任永武
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制 方法
【说明书】:

技术领域

发明关于一种存储器控制方法,且特别是有关一种用于利用BIOS中的测试程序对存储器进行参数设定的控制方法。

背景技术

以现今个人电脑的元件供货商的快速发展,市面上公开销售及为客户订制的各种存储器模块种类很多,随其制造厂商、存储器芯片与推出时间的不同,每一种不同的存储器规格略有不同。各自的存储器在出厂时,存储器厂商或系统组装厂都要一一确定存储器可以稳定操作的环境条件,其环境条件可包含存储器的工作电压设定(working voltage configuration)、驱动强度(driving strength)、时间延迟参数(delay time reference)、有效区间(active window)等各种条件。存储器需要在最佳的设定之下,方以最高的稳定度完成各种信息的读写与储存操作。存储器厂商的出厂初始设定未必符合系统组装厂的内部标准或应用上的需求,通常需要系统商测试人员或研发工程师进行以人力与长久的实务经验进行实测与微调,方可得知不同的存储器各自的最佳设定。

以个人电脑为例,其主板上通常有基本输入输出系统(Basic Input/Output System,BIOS)负责初始化存储器模块以及开机自我测试等。BIOS中通常储存有庞大的查找表(lookup table)用来对照不同的存储器所需采用的各种环境条件设定。

然而,各种半导体工艺不断推陈出新,常见的存储器也从同步动态存取存储器(Synchronous dynamic random access memory,SDRAM)进展到第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,DDR3SDRAM),发展出各种不同的规格,每次新产品推出的时程愈来愈短,若每次新的存储器推出,电子产品就要经过一次重新设定的流程方能使存储器稳定运作,则制造商将需要承担庞大的设计与制造成本,且也将造成使用者使用上的诸多不便。

为了解决上述问题,本发明提出一种存储器控制方法,以解决上述问题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种存储器控制方法,适用于驱动电脑系统中的存储器,存储器由多个控制信号驱动。当电脑系统开机时,存储器控制方法通过BIOS对这些控制信号进行驱动及测试。

根据一具体实施例,存储器控制方法包含下列步骤:(a)检测每一控制信号的该有效区间;(b)判断这些有效区间是否大于一预定区间;(c)若其中一个有效区间小于该预定区间,则对这些控制信号进行一参数调整;(d)若这些有效区间大于该预定区间,根据这些有效区间对这些控制信号其中两个控制信号之间进行一相位极限测试;(e)若这些控制信号其中两个控制信号未通过该相位极限测试,则对该其中两个控制信号的这些有效区间进行一相位调整;以及(f)根据步骤(c)或(e)中调整后的这些控制信号驱动该存储器。

也就是说,本发明的存储器控制方法,可以通过储存在BIOS内的软件或固件加以执行,当电脑系统开机后,根据控制信号对存储器进行测试并调整(例如有效区间大小与信号相位),自动地对控制信号进行参数调整或相位调整。藉此电脑系统可在开机的过程中,能够自动依据目前所使用的存储器来调整参数,以确保使用者所使用的存储器模块能稳定运作,避免发生无法驱动存储器的情况,并可节省厂商进行系统研发的时间成本。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。

附图说明

图1所示为根据本发明的一具体实施例中存储器控制方法的流程图。

图2所示为根据本发明的一具体实施例中存储器控制方法的细节实施流程图。

图3所示为根据本发明的一具体实施例中两个控制信号的信号波型示意图。

图4所示为根据本发明的一具体实施例中两个控制信号间进行相位极限测试时的信号波型示意图。

具体实施方式

请参阅图1以及图2。图1所示为根据本发明的一具体实施例中存储器控制方法的流程图。图2所示为根据本发明的一具体实施例中存储器控制方法的细节实施流程图。

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