[发明专利]透明导电性积层体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明导电性积层体的制造方法，特别是结晶化透明导电层的成形方法。

背景技术

人们熟知透明导电膜早期为于玻璃上形成一氧化铟锡层，而成为所谓的导电性玻璃，但玻璃材质的可挠性、加工性较差，且耐冲击及轻质化表现亦不佳。故现在透明导电膜已渐被以聚对苯二甲酸乙二酯(PET)为主的各种塑料所取代。

目前市售的前述透明导电膜结构中，具有一个前述塑料材质的透明基材，在所述基材表面有复数层的积层体；

如图1所示，透明导电膜1具有一个由透明塑料材质制成的基材11，该基材11为有机聚合物形成的透明薄板如PC、PET......，在基材11表面有复数层的积层体12，该积层体12至少包含导电层121、硬质涂层122及接着处理层123。其中导电层121用于导通电流，一般选用铟锡氧化物(ITO)的材料为主，并以真空蒸镀法、溅镀法、离子被覆法、喷雾热分解法、化学镀覆法、电镀法或它们的组合法形成，其中优选真空蒸镀法、溅镀法。

另外，为了得到更好的光穿透度、电阻率下降等光学和电性特性表现，对经镀膜完成的导电层121会再进行加工处理，而一般的做法是进行加热处理，使该原非晶导电层121中ITO转成结晶化之态样，如此，借由已结晶化的ITO，其光穿透度将会变好，电阻率也会下降，从而可具备较好的光学及电性特性表现，对导电层121乃至于对整体透明导电膜1而言其信赖性也会提升，如图2、3、4所示。然而，加热处理虽可达成将原非晶导电层121中的ITO转化成结晶化态样的目的，但在对导电层121的ITO加热过程中，另一方面高温会对基材11产生不良之影响，如图5所示，常见的有机聚合物形成的基材11对温度的物理特性有其一定的反应表现，因此除非在加热过程中很小心地控制基材11的张力，否则经加热后的基材11容易造成应力残留，导致翘曲及膨胀系数异方向性等问题。此为目前相关从业者亟待解决的重要课题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种透明导电性积层体的制造方法，其主要是指透明导电膜中导电性积层体的制造方法，透明导电膜至少包含一有机聚合物基材，基材的表面形成至少一积层体，且积层体中至少包含一由铟锡氧化物(ITO)形成的导电性积层，而为一导电层。将形成有ITO导电层的透明导电膜经特定波长的光源施以照射，使其导电层的ITO成结晶化，使ITO导电层之光穿透度变佳、电阻率下降，从而可具备较好的光学及电性特性表现。

其中，为使ITO导电层受光照射时，不至于使基材本身因光照产生变性问题，该照射的光源体应选择特定单一波长或特定范围宽带谱的光源，而该照射的光源体的波长应小于等于350nm(≤350nm)，或在大于等于1000nm至小于等于3000nm波长之间(1000nm≤X≤3000nm)。因此，用所述光波长的光源体照射透明导电膜时，该光源的能量将会被ITO导电层所吸收，但对于由有机聚合物(PC、PET)形成的基材而言，该光源却是高穿透性的，其能量并不被基材所吸收，故基材自然不会产生变性问题。

附图说明

图1为已知的透明导电膜结构示意图。

图2为ITO膜结晶性与热处理温度的关系图。

图3为ITO膜穿透度与热处理温度的关系图。

图4为ITO膜电阻率与热处理温度的关系图。

图5为常见有机聚合物基材(PC、PET...等)物理特性表。

图6为本发明的透明导电膜结构示意图。

图7为本发明方法的流程示意图。

图8为ITO膜在UV/Vis/IR等波段其穿透、反射与吸收的光谱图。

图9为不同表面粗度之AG或HC PET在等UV/Vis/IR波段的穿透光谱。

具体实施方式

本发明是有关一种透明导电性积层体的制造方法。主要是指透明导电膜中导电性积层体的制造方法，透明导电膜2至少包含一有机聚合物基材21，基材21的表面形成至少一积层体22，其中有机聚合物基材21可以包含PC、PET...等等，该积层体22中至少一层可以是铟锡氧化物(ITO)材料为主所形成的导电层221积层，该导电层221的形成可以是通过真空蒸镀法、溅镀法、离子被覆法、喷雾热分解法、化学镀覆法、电镀法或它们的组合法形成，其中优选真空蒸镀法、溅镀法，基材21的表面上形成导电层221之后，再用特定单一波长或特定范围宽带谱的光源施以照射，而使导电层221的ITO成结晶化，如图6、7所示。