[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沿第一方向延伸的第一布线；以及

第二布线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸且设置为在所述第一 布线和所述第二布线之间插入有一空气间隔，所述第二布线包括：

钛层；

在所述钛层表面上的钽层；

在所述钽层表面上形成的氮化钽层；以及

在所述氮化钽层表面上形成的金层；

其中，所述氮化钽层中的氮浓度大于48％。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述氮化钽层中的氮浓度大 于48％且小于等于52％。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

半导体元件，

其中所述第一布线和所述第二布线被连接到所述半导体元件，并且输入 到所述半导体元件的信号通过所述第一布线传送。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

用于覆盖所述第一布线的保护膜。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

位于所述第一布线和所述第二布线交叉部分的所述保护膜被移除。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

所述保护膜是氮化硅膜或二氧化硅膜。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

所述半导体元件是多个晶体管；

所述多个晶体管的多个源极、栅极和漏极中的每一个都在相同方向上延 伸；

所述多个晶体管中的每一个晶体管与多个相邻晶体管共用源极和漏极中 的至少一个；

所述第一布线电连接到所述多个栅极中的至少一个；以及

所述第二布线电连接到所述源极或所述漏极。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

所述晶体管包括作为沟道层的氮化镓。

9.一种半导体器件，包括：

沿第一方向延伸的第一布线；以及

第二布线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸且设置为在所述第一 布线和所述第二布线之间插入有一空气间隔，所述第二布线包括：

第一钛层；

在所述第一钛层表面上的钽层；

在所述钽层表面上的第二钛层；

在所述第二钛层表面上形成的氮化钽层；以及

在所述氮化钽层表面上形成的金层；

其中，所述氮化钽层中的氮浓度大于48％。

10.一种放大器，包括：

沿第一方向延伸的第一布线；以及

第二布线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸且设置为在所述第一 布线和所述第二布线之间插入有一空气间隔，并且所述第二布线包括：钛层； 在所述钛层表面上的钽层；在所述钽层表面上形成的氮化钽层，其中所述氮 化钽层中的氮浓度大于48％；以及在所述氮化钽层表面上形成的金层；

多个晶体管，所述第一布线和所述第二布线连接到所述多个晶体管；

第三布线；

第一端子，电连接到所述第一布线，并且电信号被输入至所述第一端子；

第二端子，电连接到所述第三布线，并且经放大后的电信号被输出至所 述第二端子；

其中所述多个晶体管的多个源极、栅极和漏极中的每一个都在相同方向 上延伸，

所述多个晶体管中的每一个晶体管与多个相邻晶体管共用源极和漏极中 的至少一个，

所述第一布线电连接到所述栅极，

所述第二布线电连接到所述源极，以及

所述第三布线电连接到所述漏极。