[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成栅极；

在所述栅极上形成第一绝缘膜；

在所述栅极上形成氧化物半导体膜，所述第一绝缘膜置于所述栅 极和所述氧化物半导体膜之间，所述氧化物半导体膜包括沟道形成区 域；

在所述栅极上形成包括氧化硅的保护膜，所述氧化物半导体膜置 于所述栅极和所述保护膜之间；

通过在所述氧化物半导体膜和所述保护膜上溅射形成第二绝缘 膜，所述第二绝缘膜包括硅和氮。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化物半导体膜包括 基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化物半导体膜包括 氧化锌。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘膜和所述氧 化物半导体膜中的每一个是通过溅射形成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二绝缘膜还包括氧。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护膜有选择地形成 在所述沟道形成区域上。

7.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成栅极；

在所述栅极上形成第一绝缘膜；

在所述栅极上形成氧化物半导体膜，所述第一绝缘膜置于所述栅 极和所述氧化物半导体膜之间，所述氧化物半导体膜包括沟道形成区 域；

在所述栅极上形成保护膜，所述氧化物半导体膜置于所述栅极和 所述保护膜之间；

通过在所述氧化物半导体膜和所述保护膜上溅射形成第二绝缘 膜，所述第二绝缘膜包括选自由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氮氧化 硅构成的组的材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氧化物半导体膜包括 基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物材料。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述氧化物半导体膜包括 氧化锌。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一绝缘膜和所述氧 化物半导体膜中的每一个是通过溅射形成的。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述保护膜包括选自由氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅构成的组的材料。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述保护膜有选择地形成 在所述沟道形成区域上。

13.根据权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

形成与所述氧化物半导体膜接触的源极和漏极；

其中在所述源极和所述漏极上提供第二绝缘膜。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述氧化物半导体膜包 括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物材料。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述氧化物半导体膜包 括氧化锌。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一绝缘膜和所述 氧化物半导体膜中的每一个是通过溅射形成的。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述保护膜包括选自由 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅构成的组的材料。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述源极和所述漏极中 的每一个包括包含钛的第一膜以及与所述第一膜接触的、包含铝的第 二膜。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述源极和所述漏极包 括透明导电氧化物材料。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述源极和所述漏极中 的每一个包括与所述氧化物半导体膜的上表面接触的、包含钛的第一 膜，以及所述第一膜上的包含铝的第二膜。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述保护膜有选择地形 成在所述沟道形成区域上。