[发明专利]坏区块识别方法及将数据写入存储器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及坏区块(bad block)识别方法，尤其涉及对具有多种数据格式的NAND型闪存(NAND flash)的坏区块识别方法。

背景技术

NAND型闪存供应商为识别NAND型闪存的存储区块是好是坏指定了预设信息。预设信息在存储区块中所处的位置也由NAND型闪存供应商指定。

图1是显示NAND型闪存的存储区块中一个页(page)的传统数据格式。参照图1，一个页的传统数据格式包括一个数据区域DA和一个备用区域(Spare Area)SA，其中该备用区域SA紧随数据区域DA。在此数据格式中，数据被写入到聚集区域(conglomerated area)中，也就是数据区域。一般来说，当对存储区块进行程序化/擦除操作失败时，NAND型闪存供应商指定由与坏区块识别相关的预设信息对备用区域SA的第一字节B-1th进行标记。也就是说，若备用区域SA的第一字节B-1th由预设信息所标记，则将该存储区块识别为坏区块。在大多先前技术中，备用区域SA的第一字节B-1th由“0xFF”所标记，以说明对应的存储区块是好的；而若备用区域SA的第一字节B-1th由非0xFF值(non-0xFF，比如“0X00”)所标记，则说明对应的存储区块是坏的。

然而，NAND型闪存控制器可利用存储页的多种数据格式(不同于图1中所示的传统数据格式)以及根据不同的规则写数据。因此，备用区域SA的第一字节B-1th可由已写数据所覆盖，以致对备用区域SA的第一字节B-1th进行检查的坏区块侦测不适用于具有多种数据格式的NAND型闪存。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种坏区块识别方法及将数据写入存储器的方法。

依据本发明一个实施例，坏区块识别方法用于存储器，所述存储器包括至少一个用于储存数据的存储区块，且所述坏区块识别方法包括：对所述数据执行数据译码功能；判定所述数据译码功能是否成功执行；若所述数据译码功能未成功执行，则检查所述存储区块中的至少一个预设位置；判定所述至少一个预设位置是否由预设信息所标记；以及若所述至少一个预设位置未由预设信息标记，则将所述存储区块识别为一个坏区块。

依据本发明另一实施例，将数据写入存储器的方法，所述存储器包括多个存储区块，所述方法包括：将所述多个存储区块中的第一存储区块识别为一个好区块或一个坏区块；若识别所述第一存储区块为一个好区块，则在所述第一存储区块的至少一个数据标记位置中的所述数据内添加数据标记；对具有所述数据标记的所述数据执行数据编码功能；以及将已编码的数据写入所述第一存储区块。

本发明通过检查存储区块中的至少一个预设位置，判定至少一个预设位置是否由预设信息所标记，实现了适用于具有多种数据格式的NAND型闪存的坏区块侦测。

附图说明

图1是显示NAND型闪存的存储区块中一个页的传统数据格式。

图2显示页的数据格式。

图3是坏区块识别方法的典型实施例的流程图。

图4是将数据写入存储器的方法的典型实施例的流程图。

图5是用于图4中方法的坏区块识别方法的典型实施例的流程图。

具体实施方式

下列实施例具体的说明如何以较佳的方式实现本发明。如下说明仅供说明本发明一般应用的方式，而非用以限缩本发明的范围。本发明的保护范围当视之前的权利要求所界定者为准。

如下提供坏区块识别方法。坏区块识别方法的一个典型实施例适用于包括至少一个存储区块的存储器，其中存储区块用于储存数据。且存储区块包括至少一个页。图2显示页的数据格式。参照图2，为了通过一种加扰方式(scrambling manner)将数据写入存储区块，将页分为多个区段SEC，且每个区段包括一个数据区域DA和一个备用区域SA(紧随对应的数据区域DA)。在本实施例中，以四个区段SEC1～SEC4为例。区段SEC1包括一个数据区域DA1和一个备用区域SA1，区段SEC2包括一个数据区域DA2和一个备用区域SA2，区段SEC3包括一个数据区域DA3和一个备用区域SA3，区段SEC4包括一个数据区域DA4和一个备用区域SA4。具体来说，数据区域DA1～DA4和备用区域SA1～SA4是交错排列的。需注意图2中所示的数据区域和备用区域仅为举例，并无限制本发明之意。参照图1和图2的置放，图1备用区域SA的第一字节B-1th对应图2区段SEC4的数据区域DA4中一位置(如图2中斜线区域所示)。因此，当对图2中的存储区块程序化时，图1备用区域SA的第一字节B-1th中的坏区块信息(与图2数据区域DA4的斜线区域相对应)可由数据所覆盖。