[发明专利]固体摄像器件和固体摄像器件的制造方法

权利要求书

1.一种固体摄像器件，所述固体摄像器件包括：

半导体层；

电荷累积区域，其被形成在所述半导体层内部并用作光电二极管的 一部分；以及

反射面，其被布置在所述电荷累积区域内部、与所述电荷累积区域 的下端接触或者在所述电荷累积区域下方且与所述电荷累积区域之间形 成有绝缘膜，并且被形成为用于反射已经透过所述电荷累积区域的光， 使该光射向所述电荷累积区域的中央部，防止该光射出到所述光电二极 管的外部。

2.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述反射面由反射膜 形成。

3.权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述反射面的电荷累积 区域侧为凹面。

4.权利要求2所述的固体摄像器件，其中，所述反射膜具有侧壁部， 所述侧壁部反射倾斜入射到所述半导体层上的光，使该光射向所述电荷 累积区域的中央部。

5.权利要求3所述的固体摄像器件，其中，所述反射面由反射膜形 成。

6.权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述半导体层是硅层。

7.一种固体摄像器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在硅层中形成凹部；

在所述硅层的表面上形成反射膜；

对所述反射膜进行蚀刻，在所述硅层的凹部上方处将所述反射膜断 开并使所述硅层露出；

从所述硅层的露出表面进行硅的外延生长，形成覆盖所述反射膜的 硅外延层；

将所述硅层上下翻转，将所述硅层粘合在单独准备的基体上；以及

在所述反射膜上方的所述硅层中形成用作光电二极管的一部分的电 荷累积区域。

8.一种固体摄像器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在硅层中形成孔，所述孔基本上垂直于所述硅层的表面并且具有作 为底面的凹面；

利用各向异性膜沉积方法在所述硅层的表面和所述凹面的表面上形 成反射膜；

在所述硅层上形成填充所述孔的第二硅层；

除掉除了所述孔中的所述反射膜和所述第二硅层以外的所述反射膜 和所述第二硅层；

对所述硅层的上部和所述孔中的所述第二硅层进行硅的离子注入， 形成非晶硅层；

使所述非晶硅层结晶化；以及

在所述反射膜上方形成用作光电二极管的一部分的电荷累积区域。

9.一种固体摄像器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在硅层中形成沟槽；

在所述硅层上形成填充所述沟槽的反射膜；

对所述反射膜进行蚀刻，在所述沟槽之间的部分处将所述反射膜断 开；

将所述硅层上下翻转，并将所述硅层粘合在单独准备的基体上；以 及

在所述反射膜上方的所述硅层中形成用作光电二极管的一部分的电 荷累积区域。