[发明专利]研磨垫及研磨垫的制造方法无效
申请号: | 200910169165.0 | 申请日: | 2005-12-08 |
公开(公告)号: | CN101659036A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 小川一幸;下村哲生;数野淳;中井良之;渡边公浩;山田孝敏;中森雅彦 | 申请(专利权)人: | 东洋橡胶工业株式会社 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;H01L21/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 制造 方法 | ||
1.一种研磨垫,具有研磨区域及透光区域,其特征是,所述研磨区域及透光区域各自Fe的含有浓度在0.3ppm以下,Ni的含有浓度在1.0ppm以下,Cu的含有浓度在0.5ppm以下,Zn的含有浓度在0.1ppm以下,另外Al的含有浓度在1.2ppm以下。
2.根据权利要求1所述的研磨垫,其中,研磨区域及透光区域的形成材料是选自由聚烯烃树脂、聚氨酯树脂、(甲基)丙烯酸树脂、硅树脂、氟树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂及感光性树脂构成的组中的至少一种高分子材料。
3.一种包括使用权利要求1所述的研磨垫将半导体晶片的表面研磨的工序的半导体器件的制造方法。
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