[发明专利]具有改进电极构造的发光设备

权利要求书

1.一种发光设备，该发光设备包括：

第一半导体层和第二半导体层；

位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；

位于所述第一半导体层上的第一电极图案层；以及

位于所述第二半导体层上的第二电极图案层，其中，所述第二电极图案层包括电极主体以及从所述电极主体向所述第一电极图案层延伸的多个分支电极。

2.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一半导体层包括N型半导体层，所述第一电极图案层包括N型电极图案，并且其中，所述第二半导体层包括P型半导体层，所述第二电极图案层包括P型电极图案。

3.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一半导体层包括P型半导体层，所述第一电极图案层包括P型电极图案，并且其中，所述第二半导体层包括N型半导体层，所述第二电极图案层包括N型电极图案。

4.根据权利要求1所述的发光设备，该发光设备还包括位于所述第一半导体层及所述第二半导体层中的一个半导体层上的透明导电氧化物层，该透明导电氧化物层的厚度小于1000埃。

5.根据权利要求4所述的发光设备，其中，所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层包括P型半导体层。

6.根据权利要求4所述的发光设备，该发光设备还包括位于所述透明导电氧化物层与所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层之间的介电层，该介电层具有位于所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层上的所述电极图案的形状，但是覆盖比所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层上的所述电极图案层更大的区域。

7.根据权利要求6所述的发光设备，其中，所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层包括P型半导体层，并且其中，所述第一半导体层及所述第二半导体层中的所述一个半导体层上的所述电极图案层包括P型电极图案层。

8.根据权利要求4所述的发光设备，其中，所述透明导电氧化物层的厚度为大约600埃。

9.根据权利要求4所述的发光设备，其中，所述透明导电氧化物层包括ITO层。

10.根据权利要求9所述的发光设备，其中，所述ITO层的厚度为大约600埃。

11.根据权利要求1所述的发光设备，该发光设备还包括衬底，其中，所述第一半导体层及所述第二半导体层中的一个半导体层位于所述衬底上，所述第一半导体层及所述第二半导体层中的一个半导体层包括N型半导体层。

12.根据权利要求1所述的发光设备，其中，从以下构造所组成的组中选择所述电极主体及所述多个分支电极的构造：梳状构造，其中，所述多个分支电极形成直线；鱼骨状构造，其中，所述多个分支电极形成倾斜角在45到135度的倾斜直线；以及护栏状构造，其中，所述多个分支电极通过位于与所述电极主体相对的末端处的公共电极而连接。

13.根据权利要求1所述的发光设备，其中，从以下形状所组成的组中选择所述各个分支电极的形状：T形形状、曲线形状、复合曲线形状、以及由直线部分与曲线部分组成的形状。

14.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一电极图案层及所述第二电极图案层包括金属。

15.根据权利要求14所述的发光设备，其中，所述金属的反射率大于60％。

16.根据权利要求14所述的发光设备，其中，所述金属包括铝或银。

17.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一电极图案层包括电极主体和多个分支电极，所述多个分支电极形成在沿所述第一电极图案层的电极主体的长度的各个位置并且向所述第二电极图案层延伸，并且其中，所述第一电极图案层及所述第二电极图案层的所述多个分支电极具有相间交错关系。