[发明专利]写入相变存储器元件的方法

权利要求书

1.一种操作存储单元的方法，其中该存储单元包括一相变存储器元件，该相变存储器元件可程序化至多个电阻状态，所述电阻状态包括一较高电阻状态与一较低电阻状态，该操作存储单元的方法包括：

施予一偏压配置至该存储单元以将所述电阻状态从该较高电阻状态改变至该较低电阻状态，其中施予该偏压配置至该存储单元包括施予该相变存储器元件的一第一电压脉冲与一第二电压脉冲，且该第二电压脉冲的电压极性不同于该第一电压脉冲。

2.如权利要求1所述的操作存储单元的方法，其中该存储单元还包括一第一电极与一第二电极，该相变存储器元件电性耦接该第一电极至该第二电极，该相变存储器元件具有与该第一电极与该第二电极相隔的一主动区。

3.如权利要求1所述的操作存储单元的方法，其中该存储单元还包括一第一电极、一第二电极与一介电间隙物，其中该介电间隙物介于该第一电极与该第二电极之间，该相变存储器元件包括跨过该介电间隙物的一相变材质电桥以接触该第一电极与该第二电极，该相变存储器元件在该第一电极与该第二电极之间定义出一极间路径，该极间路径的长度由该介电间隙物的宽度决定。

4.如权利要求1所述的操作存储单元的方法，其中该相变存储器元件包括一成核支配相变材质。

5.如权利要求1所述的操作存储单元的方法，其中该第一电压脉冲与该第二电压脉冲各自具有前缘与后缘，该第二电压脉冲的前缘与该第一电压脉冲的后缘差距不超过5纳秒。

6.如权利要求1所述的操作存储单元的方法，其中该第一电压脉冲与该第二电压脉冲具有一间隔，该间隔小于该第一电压脉冲的残余效应的一安定时间；该第一电压脉冲与该第二电压脉冲具有小于或等于200纳秒的一间隔。

7.如权利要求1所述的操作存储单元的方法，其中该第一电压脉冲与该第二电压脉冲具有各自的脉冲高度与脉冲宽度，该第二电压脉冲的脉冲高度小于或等于该第一电压脉冲的脉冲高度；该第二电压脉冲的脉冲高度与该第一电压脉冲的脉冲高度的比值介于0.5至1之间。

8.如权利要求7所述的操作存储单元的方法，其中该第二电压脉冲的脉冲高度小于相变存储器元件的一临界电压。

9.一种存储器装置，包括：

一存储单元，包括一相变存储器元件，该相变存储器元件可程序化至多个电阻状态，所述电阻状态包括一较高电阻状态与一较低电阻状态；以及

一偏压电路，用以施予一偏压配置至该存储单元以将所述电阻状态从该较高电阻状态改变至该较低电阻状态，其中该偏压配置包括施予该相变存储器元件的一第一电压脉冲与一第二电压脉冲，且该第二电压脉冲的电压极性不同于该第一电压脉冲。

10.如权利要求9所述的存储器装置，其中该存储单元包括一第一电极与一第二电极，其中该相变存储器元件电性耦接该第一电极至该第二电极，该相变存储器元件具有与该第一电极与该第二电极相隔的一主动区。

11.如权利要求9所述的存储器装置，其中该存储单元包括一第一电极、一第二电极与一介电间隙物，其中该介电间隙物介于该第一电极与该第二电极之间，该相变存储器元件包括跨过该介电间隙物的一相变材质电桥以接触该第一电极与该第二电极，该相变存储器元件在该第一电极与该第二电极之间定义出一极间路径，该极间路径的长度由该介电间隙物的宽度决定。

12.如权利要求9所述的存储器装置，其中该相变存储器元件包括一成核支配相变材质。

13.如权利要求9所述的存储器装置，其中该第一电压脉冲与该第二电压脉冲具有各自前缘与后缘，该第二电压脉冲的前缘与该第一电压脉冲的后缘差距不超过5纳秒。

14.如权利要求9所述的存储器装置，其中该第一电压脉冲与该第二电压脉冲具有一间隔，该间隔小于该第一电压脉冲的残余效应的一安定时间；该第一电压脉冲与该第二电压脉冲具有小于或等于200纳秒的一间隔。

15.如权利要求9所述的存储器装置，其中该第一电压脉冲与该第二电压脉冲具有各自的脉冲高度与脉冲宽度，该第二电压脉冲的脉冲高度小于或等于该第一电压脉冲的脉冲高度；该第二电压脉冲的脉冲高度与该第一电压脉冲的脉冲高度的比值介于0.5至1之间。

16.如权利要求15所述的存储器装置，其中该第二电压脉冲的脉冲高度小于相变存储器元件的一临界电压。