[发明专利]发光二极管的封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管的封装结构，其特征在于，所述发光二极管的封装结构包含：

一基座；

设置于所述基座上的一透光层；

设置于所述透光层上的一发光二极管芯片；以及

一黏着层，其形成于所述透光层及所述发光二极管芯片之间，所述黏着层将所述发光二极管芯片固晶于所述透光层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述发光二极管芯片的顶部设置第一电极及第二电极。

3.如权利要求2所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述第一电极及第二电极分别连接一导线以输入一电流。

4.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光层与基座之间进一步设置一胶体，所述胶体是使所述透光层黏贴于所述基座上。

5.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光层沉积于所述基座上。

6.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述基座与所述透光层相互嵌合。

7.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光层为单层结构或多层结构。

8.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光层由含氧化锌的透光材料所形成。

9.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光层与基座之间进一步形成一反射层。

10.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述反射层具有一布拉格反射结构，所述布拉格反射结构是反射所述发光二极管芯片所发出的光源。

11.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光层具有至少一倾斜侧壁。

12.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光层的一侧或双侧具有一粗糙表面。

13.一种发光二极管的封装结构，其特征在于，所述发光二极管的封装结构其包含：

一金属基板；

设置于所述金属基板上的一透光导电层；

设置于所述透光导电层上的一发光二极管芯片；以及

一黏着导电层，其设置于所述透光导电层及所述发光二极管芯片之间，所述黏着导电层系将所述发光二极管芯片固晶于所述透光导电层上。

14.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述发光二极管芯片的顶部设置第一电极。

15.如权利要求14所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述第一电极连接一导线以输入一电流。

16.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光导电层与所述金属基板之间进一步设置一胶体，所述胶体是使所述透光导电层黏贴于所述金属基板上。

17.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述金属基板与所述透光导电层相互嵌合。

18.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光导电层为单层结构或多层结构。

19.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光导电层由包含氧化锌的透光材料所形成。

20.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光导电层与所述金属基板之间更进一步形成一反射层。

21.如权利要求20所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述反射层具有一布拉格反射结构，所述布拉格反射结构是反射所述发光二极管芯片所发出的光源。

22.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光导电层具有至少一倾斜侧壁。

23.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光导电层的一侧或双侧具有一粗糙表面。

24.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述金属基板为单层金属或多层金属结构。

25.如权利要求13所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述金属基板由包含镍或铜的金属材料所形成。