[发明专利]热固化型芯片接合薄膜有效
| 申请号： | 200910165975.9 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101661909A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 菅生悠树;三隅贞仁;松村健 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;C09J133/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固化 芯片 接合 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种热固化型芯片接合薄膜，在制造半导体装置时使用，其中，
至少包含环氧树脂、酚树脂及丙烯酸系共聚物，并且当设所述环氧树脂与酚树脂的总重量为X、丙烯酸系共聚物的重量为Y时，其比率X/Y为0.7～5。
2.如权利要求1所述的热固化型芯片接合薄膜，其中，所述热固化型芯片接合薄膜的120～130℃下的熔融粘度在500～3500Pa·s范围内。
3.如权利要求1所述的热固化型芯片接合薄膜，其中，所述丙烯酸系共聚物包含10～60重量％丙烯酸丁酯和40～90重量％丙烯酸乙酯。
4.如权利要求1所述的热固化型芯片接合薄膜，其中，所述丙烯酸系共聚物的玻璃化转变温度在-30～30℃范围内。
5.如权利要求1所述的热固化型芯片接合薄膜，其中，所述环氧树脂的120～130℃下的熔融粘度在0.05～7Pa·s范围内。
6.如权利要求1所述的热固化型芯片接合薄膜，其中，所述酚树脂的120～130℃下的熔融粘度在0.3～35Pa·s范围内。
7.一种切割/芯片接合薄膜，其具有权利要求1所述的热固化型芯片接合薄膜层压在切割薄膜上的结构。
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