[发明专利]发光元件和使用该发光元件的显示器件有效

专利信息
申请号: 200910165595.5 申请日: 2005-09-26
公开(公告)号: CN101656302A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 池田寿雄;坂田淳一郎;熊木大介;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李 进;韦欣华
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 使用 显示 器件
【权利要求书】:

1.一种发光元件,其包括:

第一电极;

第二电极;

第一电极和第二电极之间的含有金属氧化物和空穴迁移性能高 于电子迁移性能的材料的第一层;

第一层和第二电极之间的含有发光材料的第二层;和

第二层和第二电极之间的含有金属氧化物和电子迁移性能高于 空穴迁移性能的材料的第三层,

其中所述第一层所含的金属氧化物选自氧化钼、氧化钒、氧化钌、 氧化钨、氧化钴、氧化镍、氧化铜、氧化铟锡和氧化锌。

2.权利要求1的发光元件,其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层,所述第四层含有金属氧化物、电子迁移性能高于空穴迁 移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空穴迁移性能 的材料供给电子的材料。

3.权利要求1的发光元件,其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层,所述第四层含有电子迁移性能高于空穴迁移性能的材 料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料供给 电子的材料。

4.权利要求1的发光元件,其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层,所述第四层含有金属氧化物和空穴迁移性能高于电子迁 移性能的材料。

5.权利要求1的发光元件,其进一步包括:

第三层和第二电极之间的第四层,所述第四层含有金属氧化物、 电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁 移性能高于空穴迁移性能的材料供给电子的材料;和

第四层和第二电极之间的第五层,所述第五层含有金属氧化物和 空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料。

6.权利要求1的发光元件,其进一步包括:

第三层和第二电极之间的第四层,所述第四层含有电子迁移性能 高于空穴迁移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空 穴迁移性能的材料供给电子的材料;和

第四层和第二电极之间的第五层,所述第五层含有金属氧化物和 空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料。

7.一种在像素部分中包含权利要求1的发光元件的显示器件。

8.权利要求1的发光元件,其中第一层中包含的金属氧化物是 氧化钼。

9.一种发光元件,其包括:

第一电极;

第二电极;

第一电极和第二电极之间的含有金属氧化物和空穴迁移性能高 于电子迁移性能的材料的第一层;

第一层和第二电极之间的含有发光材料的第二层;和

第二层和第二电极之间的第三层,所述第三层含有金属氧化物、 电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料和能向该电子迁移性能高于 空穴迁移性能的材料供给电子的材料,

其中所述第一层所含的金属氧化物选自氧化钼、氧化钒、氧化钌、 氧化钨、氧化钴、氧化镍、氧化铜、氧化铟锡和氧化锌。

10.权利要求9的发光元件,其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层,所述第四层含有金属氧化物和空穴迁移性能高于电子迁 移性能的材料。

11.一种在像素部分中包含权利要求9的发光元件的显示器件。

12.权利要求9的发光元件,其中第一层中包含的金属氧化物是 氧化钼。

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