[发明专利]发光元件和使用该发光元件的显示器件有效
| 申请号: | 200910165595.5 | 申请日: | 2005-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN101656302A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
| 发明(设计)人: | 池田寿雄;坂田淳一郎;熊木大介;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李 进;韦欣华 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 使用 显示 器件 | ||
1.一种发光元件,其包括:
第一电极;
第二电极;
第一电极和第二电极之间的含有金属氧化物和空穴迁移性能高 于电子迁移性能的材料的第一层;
第一层和第二电极之间的含有发光材料的第二层;和
第二层和第二电极之间的含有金属氧化物和电子迁移性能高于 空穴迁移性能的材料的第三层,
其中所述第一层所含的金属氧化物选自氧化钼、氧化钒、氧化钌、 氧化钨、氧化钴、氧化镍、氧化铜、氧化铟锡和氧化锌。
2.权利要求1的发光元件,其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层,所述第四层含有金属氧化物、电子迁移性能高于空穴迁 移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空穴迁移性能 的材料供给电子的材料。
3.权利要求1的发光元件,其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层,所述第四层含有电子迁移性能高于空穴迁移性能的材 料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料供给 电子的材料。
4.权利要求1的发光元件,其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层,所述第四层含有金属氧化物和空穴迁移性能高于电子迁 移性能的材料。
5.权利要求1的发光元件,其进一步包括:
第三层和第二电极之间的第四层,所述第四层含有金属氧化物、 电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁 移性能高于空穴迁移性能的材料供给电子的材料;和
第四层和第二电极之间的第五层,所述第五层含有金属氧化物和 空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料。
6.权利要求1的发光元件,其进一步包括:
第三层和第二电极之间的第四层,所述第四层含有电子迁移性能 高于空穴迁移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空 穴迁移性能的材料供给电子的材料;和
第四层和第二电极之间的第五层,所述第五层含有金属氧化物和 空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料。
7.一种在像素部分中包含权利要求1的发光元件的显示器件。
8.权利要求1的发光元件,其中第一层中包含的金属氧化物是 氧化钼。
9.一种发光元件,其包括:
第一电极;
第二电极;
第一电极和第二电极之间的含有金属氧化物和空穴迁移性能高 于电子迁移性能的材料的第一层;
第一层和第二电极之间的含有发光材料的第二层;和
第二层和第二电极之间的第三层,所述第三层含有金属氧化物、 电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料和能向该电子迁移性能高于 空穴迁移性能的材料供给电子的材料,
其中所述第一层所含的金属氧化物选自氧化钼、氧化钒、氧化钌、 氧化钨、氧化钴、氧化镍、氧化铜、氧化铟锡和氧化锌。
10.权利要求9的发光元件,其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层,所述第四层含有金属氧化物和空穴迁移性能高于电子迁 移性能的材料。
11.一种在像素部分中包含权利要求9的发光元件的显示器件。
12.权利要求9的发光元件,其中第一层中包含的金属氧化物是 氧化钼。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





