[发明专利]用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置有效
| 申请号: | 200910164225.X | 申请日: | 2009-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN101640233A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
| 发明(设计)人: | 侯仁义 | 申请(专利权)人: | 四川阿波罗太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人: | 邓继轩 |
| 地址: | 610207四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁控溅射 生产 cds cdte 太阳能电池 装置 | ||
1.用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置,其特征在于该装置由 CdS/CdTe的形成装置,CdCl2热处理装置和背电极制作装置组成:
(1)CdS/CdTe的形成装置
CdS/CdTe的形成装置由进料仓(1)、CdS镀膜仓(2)、过渡仓(3)、CdTe镀膜仓 (4)和出料仓(5)组成,进料仓(1)内设加热器(9)和输送系统(6),输送系统 通过CdS镀膜仓(2)、过渡仓(3)、CdTe镀膜仓(4)和出料仓(5)构成循环系统; 仓与仓之间设隔离门(15),进料仓外分别与真空系统(8)、氩气系统(10)和控制系 统(12)连接;CdS镀膜仓(2)内设CdS靶头(13),靶头一端与冷却水进口及靶头 电源(17)连接,靶头另一端与冷却水出口(18)连接;输送系统(6)上放置工件夹 具(20),工件夹具固定工件(7),CdS镀膜仓的前、后设真空门(19),真空门与CdS 镀膜仓的连接处设密封圈(16),CdS镀膜仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统 连接;过渡仓(3)内设输送系统、过渡工件,过渡仓外分别与真空系统、氩气系统和 控制系统连接;CdTe镀膜仓(4)内设CdTe靶头(14),其余部分设置和连接同CdS 镀膜仓(2);出料仓(5)的设置和连接同过渡仓(3),全部仓位由支架(11)支撑;
(2)CdCl2热处理装置
将上述装置形成的CdS/CdTe膜的工件用激光刻第二条线后进入CdCl2热处理装 置,当工件加热至250~270℃将CdCl2加热至390~420℃采用近空间升华法装置将CdCl2镀在CdS/CdTe面上;
(3)背电极制作装置
背电极制作装置由进料仓(1)、ZnTe镀膜仓(2)、过渡仓(3)、Ni镀膜仓(4) 和出料仓(5)组成,它与CdS/CdTe的形成装置基本相同,进料仓(1)的设置和连接 同CdS/CdTe的形成装置的进料仓,ZnTe镀膜仓(2)的设置和连接同CdS镀膜仓、过 渡仓的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的过渡仓,Ni镀膜仓(4)的设置和连接同 CdTe镀膜仓、出料仓(5)的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的出料仓;
采用磁控溅射法将CdS、CdTe、ZnTe:Cu和Ni分别溅射到经清洗激光刻的导电 玻璃工件上,用超声焊机焊上引出电极,用UV胶在电池背面涂覆200~500μm厚的胶 膜,经UV干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。
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