[发明专利]用于蚀刻氧化硅层的组合物、使用其蚀刻半导体器件的方法及用于蚀刻半导体器件的组合物

权利要求书

1.一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，包括：

氟化氢；

阴离子型聚合物；以及

去离子水，

其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量， 所述阴离子型聚合物的含量为0.001至2wt％，

相对于氮化物层，所述组合物具有80或更高的针对所述 氧化硅层的蚀刻选择比，并且

所述阴离子型聚合物包括聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚丙 烯酰胺/丙烯酸共聚物、聚丙烯酸/磺酸共聚物、聚磺酸/丙烯酰 胺共聚物、以及聚丙烯酸/丙二酸共聚物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，基 于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述氟化氢的含 量为5至90wt％。

3.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，基 于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述阴离子型聚 合物的含量为0.01至1wt％。

4.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，所 述阴离子型聚合物具有1,000至1,000,000g/mol的重均分子量 (Mw)。

5.根据权利要求4所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，所 述阴离子型聚合物具有5,000至100,000g/mol的重均分子量 (Mw)。

6.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，进一步包 括氟化铵。

7.根据权利要求6所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，基 于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述氟化铵的含 量为0.1至50wt％。

8.根据权利要求1所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，进一步包 括有机酸和无机酸中的至少一种，其中，所述有机酸包括乙酸、 柠檬酸、甲酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、癸酸、以及 它们的组合中的至少一种，而所述无机酸包括硝酸、硫酸、盐 酸、磷酸、高氯酸、以及它们的组合中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的用于蚀刻氧化硅层的组合物，其中，基 于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述有机酸和所 述无机酸中的至少一种的含量为0.1至30wt％。

10.一种蚀刻半导体器件的方法，包括：

通过分批型工艺或单晶片型工艺中的一种来蚀刻层，其 中，蚀刻所述层包括利用用于蚀刻氧化硅层的组合物进行蚀 刻，所述组合物包括：

氟化氢；

阴离子型聚合物；以及

去离子水，

其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量， 所述阴离子型聚合物的含量为0.001至2wt％，

氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为80或更高，并 且

所述阴离子型聚合物包括聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚丙 烯酰胺/丙烯酸共聚物、聚丙烯酸/磺酸共聚物、聚磺酸/丙烯酰 胺共聚物、以及聚丙烯酸/丙二酸共聚物中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的蚀刻半导体器件的方法，其中，蚀刻 所述层包括：

蚀刻包括热氧化性氧化硅层、基于CVD(化学气相沉积) 的氧化硅层、以及基于掺杂的氧化硅层中的至少一种的氧化硅 层，以及

蚀刻包括氮化硅(SiN)层和氮化钛(TiN)层中的至少 一个的氮化物层。

12.根据权利要求11所述的蚀刻半导体器件的方法，其中，所述 氧化硅层包括热氧化性氧化硅层、基于化学气相沉积的氧化硅 层、以及基于掺杂的氧化硅层中的两个或更多个。

13.一种用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合 物，包括：

基于所述组合物的总重量为5至90wt％的氢氟酸；

基于所述组合物的总重量为0.001至2wt％的阴离子型聚 合物；以及

去离子水，

其中，所述阴离子型聚合物包括聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、 聚丙烯酰胺/丙烯酸共聚物、聚丙烯酸/磺酸共聚物、聚磺酸/ 丙烯酰胺共聚物、以及聚丙烯酸/丙二酸共聚物中的至少一种。