[发明专利]纳米图形化中凸起效应的去除有效
| 申请号： | 200910161803.4 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101638219A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 申采浩;田仁秀;金廷九 | 申请（专利权）人： | 首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 图形 凸起 效应 去除 | ||
1.一种制造纳米结构的方法，所述方法包括：
在聚合物的表面上形成纳米图形；
使具有所述纳米图形的所述聚合物的所述表面与溶剂接触；和
向与所述溶剂接触的所述聚合物的所述表面施加外部刺激，以去除 所述纳米图形周围的凸起，
其中，所述聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；
所述外部刺激包括选自由电场和超声波组成的组中的至少一种；
所述溶剂为水和异丙醇。
2.如权利要求1所述的方法，其中，通过机械力形成所述纳米图形。
3.如权利要求1所述的方法，其中，通过纳米压痕或纳米压印形成 所述纳米图形。
4.如权利要求3所述的方法，其中，通过轻敲模式原子力显微镜进 行所述纳米压痕。
5.如权利要求1所述的方法，其中，通过直流偏压形成所述电场。
6.如权利要求1所述的方法，其中，选择所述溶剂的种类和组成比， 使得在施加所述外部刺激时所述溶剂具有足以去除所述凸起的极性。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述去除纳米图形周围的凸起 还包括去除所述纳米图形的改变的部分。
8.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述凸起被去除的 位置另外形成纳米图形。
9.如权利要求1所述的方法，其中，当去除所述凸起时，除所述凸 起以外的所述聚合物的所述表面未被蚀刻。
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