[发明专利]显示装置的修正方法及其装置有效
申请号: | 200910161644.8 | 申请日: | 2009-07-24 |
公开(公告)号: | CN101667527A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 新井武;中须信昭;枝村理夫;大录范行 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/04;C23C16/50;H01J37/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 修正 方法 及其 装置 | ||
1.一种显示装置的修正装置,对在衬底的表面上形成了具有图 案缺陷的电子电路图案的显示装置的上述图案缺陷进行修正,其特征 在于:包括通过对上述图案缺陷的区域局部地照射等离子体而修正上 述图案缺陷的等离子体照射单元,
上述等离子体照射单元包括:
在其内部生成等离子体的等离子体生成用细管,
向上述等离子体生成用细管供给第一气体的第一气体供给部,
具有开口部,从该开口部的对面侧插入上述等离子体生成用细管 的一端的等离子体反应部,以及
向上述等离子体反应部内供给第二气体的第二气体供给部。
2.如权利要求1所述的显示装置的修正装置,其特征在于:
在上述开口部配置有保持并能移动上述显示装置的工作台机构, 且
上述显示装置的修正装置包括从检查装置接收上述缺陷图案的 信息,辨认上述缺陷图案的缺陷并将其分类的观察机构。
3.如权利要求2所述的显示装置的修正装置,其特征在于:
根据从上述第一气体供给部供给的气体的物理量,分解从第二气 体供给部供给的反应性气体。
4.如权利要求1所述的显示装置的修正装置,其特征在于:
在上述等离子体反应部中具有把等离子体喷流的直径变细的掩 模,
上述掩模配置在上述等离子体生成用细管与衬底之间,第二气体 供给部配置在上述掩模与衬底之间。
5.如权利要求4所述的显示装置的修正装置,其特征在于:
上述掩模是绝缘体。
6.如权利要求1所述的显示装置的修正装置,其特征在于:
根据从上述第一气体供给部供给的气体的物理量,控制被加工物 的温度。
7.如权利要求3、6中任一项所述的显示装置的修正装置,其特征 在于:
上述气体的物理量是流量、流速、气体种类、电离度中的至少一 种。
8.一种显示装置的修正方法,对在衬底的表面上形成了具有图 案缺陷的电子电路图案的显示装置的上述图案缺陷进行修正,其特征 在于:
向等离子体生成用细管供给第一气体而生成等离子体,
从插入等离子体反应部内的上述等离子体生成用细管的一端射 出所生成的等离子体,
向上述等离子体反应部内供给第二气体,
利用上述射出的等离子体分解反应性的上述第二气体,对配置在 上述等离子体反应部的开口部侧的显示装置的上述图案缺陷进行修 正。
9.一种显示装置的修正方法,其特征在于:
通过对从等离子体生成用细管的一个端部向上述等离子体生成 用细管的内部供给的惰性气体施加高频电力,产生等离子体;
通过在上述等离子体生成用细管的另一个端部与衬底之间配置 的掩模,把等离子体喷流微细化;
根据从第一气体供给部供给的气体的物理量,分解从第二气体供 给部供给的反应性气体,对上述衬底上的电子电路图案的图案缺陷进 行修正。
10.如权利要求9所述的显示装置的修正方法,其特征在于:
上述气体的物理量是流量、流速、气体种类、电离度中的至少一 种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造