[发明专利]陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器有效
| 申请号: | 200910161426.4 | 申请日: | 2009-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN101607820A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
| 发明(设计)人: | 萧朝光;简廷安;裴修祥 | 申请(专利权)人: | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;H01G4/12;H01G4/30 |
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| 地址: | 215011江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷 组合 陶瓷材料 及其 制成 电容器 | ||
【技术领域】
本发明是有关于一种陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积 层陶瓷电容器,且特别是有关于一种可符合Y5V温度范围的陶瓷粉 体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器。
【背景技术】
近年来,由于电子组件的发展趋势朝向小型化、芯片化、多功能 化及高容量化,各种整合型技术开始受到重视,电容器亦不例外,除 了组件薄小化与多层化的设计已是不可避免的趋势外,高电容值及微 小晶粒结构的介电材料设计要求也日益严谨,因此陶瓷电容器的发展 亦朝向在最小体积发挥最大功能的方向进行开发。
商用陶瓷电容器的应用以Class II类为主,可略分为Y5V、X5R、 X7R等规格,其中Y5V所要求的规格指在温度范围于-30℃~85℃间, 其相对容值变化量介于+22~-82%。
【发明内容】
本发明的一个目的是提出一种陶瓷粉体组合物。本发明的陶瓷粉 体组合物包括主成份以及玻璃质成份,主成份的含量为99.3~99.9 wt%(质量百分比),而玻璃质成份的含量为0.1~0.7wt%。主成份由 Bam(Ti1-xZrx)O3+αMnO+βB2O5+γRe2O3组成,其中α、β与γ为摩尔 比例系数,0.003≤α≤0.01,0.001≤β≤0.005,0.0005≤γ≤0.005, 0.14≤x≤0.20,且0.985≤m≤1.0070,而元素B选自钒(V)、铌(Nb) 及钽(Ta)所组成的群组,元素Re选自钇(Y)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、 铒(Er)、铥(Tm)及镱(Yb)所组成的群组。玻璃质成份择自Ma2O、MbO、 Mc2O3及MdO2所组成的群组,其中元素Ma选自锂、钠及钾所组成 的群组,元素Mb选自铍、镁、钙、锶及钡所组成的群组,元素Mc 选自硼、铝及镓所组成的群组,元素Md选自硅及锗所组成的群组。
作为可选的技术方案,其中所述的玻璃质成份为二氧化硅(SiO2) 或其硅酸盐类。
作为可选的技术方案,其中所述的元素B为铌(Nb)。
本发明另一个目的是提出一种陶瓷材料,由上述的陶瓷粉体组合 物所烧结而成,该陶瓷材料的烧结温度在1200℃至1300℃之间,较 佳为1220℃。
本发明另一个目的是提出一种积层陶瓷电容器,包含:陶瓷介电 质、多个内部电极以及至少一外部电极。陶瓷介电质由如上述的陶瓷 粉体组合物烧结而成,而这些内部电极,大体上平行延伸于该陶瓷介 电质内,且外部电极则曝露于陶瓷介电质外,并电性连接该些内部电 极。
综上所述,本发明通过主成份与玻璃质成份之间的相互搭配,提 供一种可符合Y5V规格的陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的 积层陶瓷电容器。
【附图说明】
图1为一种积层陶瓷基板结构的剖面示意图;
图2为本发明一种实施方式的积层陶瓷电容器容值变化率与温度的关系 图。
【具体实施方式】
以下将参照相关图示,说明依本发明具体实施例的陶瓷粉体组合物,为使 其便于理解,下述实施例中的相同组件以相同的符号标示来说明。
本发明的陶瓷粉体组合物,以特定比率的主成份与玻璃质成份彼此搭配进 行烧结,其中主成份的含量为99.3~99.9wt%,而玻璃质成份的含量为0.1~0.7 wt%。
主成份由Bam(Ti1-xZrx)O3+αMnO+βB2O5+γRe2O3组成,其中α、 β与γ为摩尔比例系数,0.003≤α≤0.01,0.001≤β≤0.005, 0.0005≤γ≤0.005,0.14≤x≤0.20,且0.985≤m≤1.0070,而元素B 选自钒(V)、铌(Nb)及钽(Ta)所组成的群组,元素Re选自钇(Y)、铽 (Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)及镱(Yb)所组成的群组。
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