[发明专利]显示装置、用于驱动该显示装置的方法以及电子装置

说明书

相关申请的交叉参考

本申请包含于2008年7月31日在日本专利局提交的日本优先 权专利申请JP 2008-197912中涉及的主题，其全部内容结合于此作 为参考。

技术领域

本发明涉及显示装置和用于驱动该显示装置的方法，其中该显 示装置包括具有用于每个像素的发光元件和像素电路的显示单元 以及驱动像素电路的驱动单元。本发明还涉及具有该显示装置的电 子装置。

背景技术

近年来，在用于显示图像的显示装置领域，使用发光亮度根据 流动电流值改变的电流驱动型光学元件(例如，有机EL(电致发 光)元件)作为像素发光元件的显示装置被发展并被商业化。

有机EL元件是不同于液晶元件等的自发发光元件。因此，在 使用有机EL元件的显示装置(有机EL显示装置)中，光源(背 光)是不需要的。与必需光源的液晶显示装置相比，图像的可见度 更高，功率消耗更低，并且元件的响应更快。

作为有机EL显示装置的驱动方法，与在液晶显示装置一样， 存在一种简单(无源)矩阵方法和有源矩阵(active matrix)方法。 简单(无源)矩阵方法虽然结构简单，但是具有的缺点在于难以实 现大尺寸高分辨率的显示装置。因此，目前，有源矩阵方法被积极 地发展。在有源矩阵方法中，在为每个像素布置的发光元件中流动 的电流由在为每个发光元件布置的驱动电路中提供的有源元件(一 般地，TTF(薄膜晶体管))控制。

一般地，有机EL元件的电流-电压(I-V)特性随时间劣化(时 间依赖性退化)。在用于电流驱动有机EL元件的像素电路中，当有 机EL元件的I-V特性随时间改变时，有机EL元件和与该有机EL 元件串联连接的驱动晶体管之间的分压比改变，使得驱动晶体管的 栅极和源极之间的电压Vgs也改变。结果，在驱动晶体管中流动的 电流值改变，使得在有机EL元件中流动的电流值也改变，并且发 光亮度也根据电流值改变。

存在驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ随时间改变、或由 于制造工艺差异而引起的在各像素电路之间不同的情况。在驱动晶 体管的阈值电压Vth和迁移率μ在各像素电路之间不同的情况下， 在驱动晶体管中流动的电流值在各像素电路之间不同。因此，即使 当相同的电压被施加到驱动晶体管的栅极的时候，有机EL元件的 发光亮度不同，并且屏幕的均匀性劣化。

开发了这样的显示装置，其具有补偿有机EL元件的I-V特性 的波动的功能和校正驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ的波动 的功能，以维持有机EL元件的发光亮度而不被有机EL元件的I-V 特性随时间的变化和驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ随时间 的变化所影响(例如参见日本未审查专利申请公布第2007-171827 号、第2007-108381号、第2007-133283号以及第2007-133284号)。

图15示出了现有技术中显示装置的示意性构成的实例。图15 中示出的显示装置100具有其中多个像素120以矩阵布置的显示单 元110以及用于驱动每个像素120的驱动单元(水平驱动电路130、 写扫描电路140以及电源扫描电路150)。

每个像素120包括用于红色的像素120R、用于绿色的像素 120G以及用于蓝色的像素120B。如图16中所示，像素120R、120G 以及120B中的每一个包括有机EL元件121(有机EL元件121R、 121G以及121B)和连接至有机EL元件121的像素电路122。像 素电路122包括用于采样的晶体管Tws、保持电容器Cs、以及用于 驱动的晶体管T_Dr，并且具有2Tr1C的电路构成。从写扫描电路140 引出的栅极线WSL被形成为在行方向中延伸并且连接至晶体管 Tws的栅极。从电源扫描电路150引出的漏极线DSL被形成为在行 方向中延伸并且连接至晶体管T_Dr的漏极。从水平驱动电路130引 出的信号线DTL被形成为在列方向中延伸并且连接至晶体管Tws 的漏极。晶体管Tws的源极连接至用于驱动的晶体管T_Dr的栅极和 保持电容器Cs的一端。晶体管T_Dr的源极和保持电容器Cs的另一 端被连接至有机EL元件121R、121G或121B(下面，简单地称为 有机EL元件121R等)的阳极。有机EL元件121R等的阴极连接 至阴极线CTL。