[发明专利]化学增幅正性抗蚀剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种化学增幅正性抗蚀剂组合物。

背景技术

用于采用光刻工艺的半导体微组装(microfabrication)的化学增幅正性抗蚀剂组合物含有产酸剂，该产酸剂包含可通过辐射而产生酸的化合物。

US 2005/0158656A1公开了一种包含树脂和产酸剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物，该树脂包含有具有环己基或环戊基的结构单元。

发明内容

本发明的目的在于提供一种化学增幅正性抗蚀剂组合物。

本发明涉及下述内容：

<1>一种化学增幅正性抗蚀剂组合物，其包含：

包含由结构式(I)表示的结构单元的树脂：

其中，R¹代表氢原子、卤素原子、C1-C4烷基或C1-C4全氟化烷基；Z代表单键或-(CH₂)_k-CO-X⁴-，k代表1至4的整数；X¹、X²、X³和X⁴各自独立地代表氧原子或硫原子；m代表1至3的整数；而n代表0至3的整数；以及

产酸剂。

<2>根据<1>的化学增幅正性抗蚀剂组合物，其中，除由结构式(I)表示的结构单元之外，所述树脂还含有在侧链中具有酸不稳定性基团的结构单元。

<3>根据<2>的化学增幅正性抗蚀剂组合物，其中，在侧链中具有酸不稳定性基团的结构单元是由结构式(II)表示的结构单元：

其中，R²¹代表氢原子、卤素原子、C1-C4烷基或C1-C4全氟化烷基；R^b、R^c和R^d独立地代表C1-C6烷基或C3-C12脂环烃基；或者R^b和R^c可以成键从而形成可以被取代的C3-C20环烃基团；Z″代表单键或者-(CH₂)_r-COO-，并且r代表1至4的整数。

<4>根据<1>至<3>中任一项所述的化学增幅正性抗蚀剂组合物，其中，产酸剂是由结构式(V)表示的产酸剂：

其中，Y¹和Y²各自独立地代表氟原子或C1-C6全氟化烷基；R¹²代表可以用选自下组中的至少一个基团取代的C1-C30直链、支链或环状烃基：C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C1-C4全氟化烷基、羟基和氰基；并且在烃基中的一个以上-CH₂-可以被-CO-、-O-或-COO-取代；并且A⁺代表有机反荷离子。

<5>根据<4>的化学增幅正性抗蚀剂组合物，其中，在结构式(V)中的R¹²是由下述结构式表示的基团：

-Z′-X¹⁰

其中，X¹⁰代表具有羟基或羰基的C3-C30单环或多环烃基，并且在单环或多环烃基中的一个以上氢原子可以被下述基团取代：C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C1-C4全氟化烷基、C1-C6羟烷基、羟基和氰基；并且Z′代表单键或C1-C4亚烷基。

<6>根据<4>的化学增幅正性抗蚀剂组合物，其中，有机反荷离子是由结构式(IXe)表示的阳离子：

其中，P²²、P²³和P²⁴各自独立地代表氢原子、羟基、C1-C12烷基或C1-C12烷氧基。

<7>根据<1>至<6>中任一项所述的化学增幅正性抗蚀剂组合物，其中，树脂不含在侧链中具有氟原子的结构单元。

具体实施方式

本发明的抗蚀剂组合物包含树脂，该树脂包含由结构式(I)表示的结构单元(在下文中，简称为结构单元(I))：