[发明专利]具有鲁棒性启动电路的带隙电压基准电路有效
| 申请号: | 200910160579.7 | 申请日: | 2009-08-10 | 
| 公开(公告)号: | CN101995899A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 | 
| 发明(设计)人: | 高彬 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 | 
| 主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24 | 
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;杨静 | 
| 地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 鲁棒性 启动 电路 电压 基准 | ||
技术领域
本发明涉及一种带有启动电路的带隙电压基准电路,具体地讲,涉及一种具有鲁棒性启动电路的带隙电压基准电路。
背景技术
带隙电压基准电路广泛应用于存储电路、模数转换电路和电源管理电路。带隙电压基准电路用于产生一个不随温度、工艺和电压变化的恒定电压。
图1是示出现有技术中的带隙电压基准电路的电路图。
参照图1,带隙电压基准电路包括:二极管D1和D2、电阻器R1、R2和R3、运算放大器OPAMP以及PMOS管M1和M2,其中,二极管D1的正极经电阻器R1连接到运算放大器OPAMP的输入端A,二极管D2的正极连接到运算放大器OPAMP的输入端B,二极管D1和D2的负极接地GND;运算放大器OPAMP的输出端C接到PMOS管M1和M2的栅极;PMOS管M1和M2的源极连接到电压为VDD的电源,PMOS管M1的漏极经电阻器R2连接到运算放大器OPAMP的输入端A,PMOS管M2的漏极经电阻器R3连接到运算放大器OPAMP的输入端B。运算放大器的输出端C连接到晶体管M1和M2的栅极,控制流过M1和M2的电流I1和I2,晶体管M1和M2以及运算放大器构成反馈电路,从而使运算放大器的输入电压相等,即VA=VB。
以下,将参照图1详细描述带隙电压基准电路的工作原理。
在图1中,将流过二极管D1的电流定义为I1,将流过二极管D2的电流为定义为I2,假设两条支路流过的电流的关系为I2=N×I1,而二极管D2的面积是二极管D1的M倍,或者说二极管D2相当于M个二极管D1并联。
根据流过二极管的电流公式:
其中VBE是二极管两端的电压,VT是热电压,Is是二极管的饱和电流。
从图1可以得出:
Vref=VBE1+I1×(R1+R2) (2)
由于二极管D2的面积是二极管D1的M倍,所以可得出:
由于运算放大器的负反馈会强制使得A和B点电压相等,由此可得出:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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