[发明专利]具有鲁棒性启动电路的带隙电压基准电路有效

专利信息
申请号: 200910160579.7 申请日: 2009-08-10
公开(公告)号: CN101995899A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 高彬 申请(专利权)人: 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;杨静
地址: 215021 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 具有 鲁棒性 启动 电路 电压 基准
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种带有启动电路的带隙电压基准电路,具体地讲,涉及一种具有鲁棒性启动电路的带隙电压基准电路。

背景技术

带隙电压基准电路广泛应用于存储电路、模数转换电路和电源管理电路。带隙电压基准电路用于产生一个不随温度、工艺和电压变化的恒定电压。

图1是示出现有技术中的带隙电压基准电路的电路图。

参照图1,带隙电压基准电路包括:二极管D1和D2、电阻器R1、R2和R3、运算放大器OPAMP以及PMOS管M1和M2,其中,二极管D1的正极经电阻器R1连接到运算放大器OPAMP的输入端A,二极管D2的正极连接到运算放大器OPAMP的输入端B,二极管D1和D2的负极接地GND;运算放大器OPAMP的输出端C接到PMOS管M1和M2的栅极;PMOS管M1和M2的源极连接到电压为VDD的电源,PMOS管M1的漏极经电阻器R2连接到运算放大器OPAMP的输入端A,PMOS管M2的漏极经电阻器R3连接到运算放大器OPAMP的输入端B。运算放大器的输出端C连接到晶体管M1和M2的栅极,控制流过M1和M2的电流I1和I2,晶体管M1和M2以及运算放大器构成反馈电路,从而使运算放大器的输入电压相等,即VA=VB。

以下,将参照图1详细描述带隙电压基准电路的工作原理。

在图1中,将流过二极管D1的电流定义为I1,将流过二极管D2的电流为定义为I2,假设两条支路流过的电流的关系为I2=N×I1,而二极管D2的面积是二极管D1的M倍,或者说二极管D2相当于M个二极管D1并联。

根据流过二极管的电流公式:

VBE=VTlnIDIS---(1)]]>

其中VBE是二极管两端的电压,VT是热电压,Is是二极管的饱和电流。

从图1可以得出:

Vref=VBE1+I1×(R1+R2)                                (2)

由于二极管D2的面积是二极管D1的M倍,所以可得出:

IS1=IS2M---(3)]]>

由于运算放大器的负反馈会强制使得A和B点电压相等,由此可得出:

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