[发明专利]有机半导体元件有效
申请号: | 200910159748.5 | 申请日: | 2002-12-05 |
公开(公告)号: | CN101697368A | 公开(公告)日: | 2010-04-21 |
发明(设计)人: | 筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张亚宁;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机半导体 元件 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大 于2的整数,
在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间的导电薄膜层, 其中k是1≤k≤(n-1)的整数,
其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流,
其中所述导电薄膜层具有包括金属氧化物的层和掺有施主的第一n 型有机半导体的层的结构,以及
其中所述第一n型有机半导体的层形成在所述金属氧化物的层一侧 上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,
其中所述金属氧化物选自氧化铜、氧化钴、氧化锆、氧化钛、氧化 铌、氧化镍、氧化钕、氧化钒、氧化铋、氧化铍铝、氧化硼、氧化镁、 氧化钼、氧化镧、氧化锂、以及氧化钌。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,
其中所述金属氧化物选自氧化钛和氧化钼。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,
其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有p型有机半导体和 第二n型有机半导体的层叠结构。
5.一种太阳能电池,包括:
在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大 于2的整数,以及
在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间的导电薄膜层, 其中k是1≤k≤(n-1)的整数,
其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流, 以及
其中所述导电薄膜层包含:
包括金属氧化物的第一层;以及
包括第一p型有机半导体的第二层,该第一p型有机半导体被受主 掺杂。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,
其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有第二p型有机半导 体和n型有机半导体的层叠结构。
7.一种太阳能电池,包括:
在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大 于2的整数,以及
在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间的导电薄膜层, 其中k是1≤k≤(n-1)的整数,
其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流, 以及
其中所述导电薄膜层包含:
包括金属氧化物的第一层;以及
包括第一n型有机半导体的第二层,该第一n型有机半导体被施主 掺杂。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,
其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有p型有机半导体和 第二n型有机半导体的层叠结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择