[发明专利]有机半导体元件有效

专利信息
申请号: 200910159748.5 申请日: 2002-12-05
公开(公告)号: CN101697368A 公开(公告)日: 2010-04-21
发明(设计)人: 筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张亚宁;李家麟
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机半导体 元件
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,包括:

在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大 于2的整数,

在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间的导电薄膜层, 其中k是1≤k≤(n-1)的整数,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流,

其中所述导电薄膜层具有包括金属氧化物的层和掺有施主的第一n 型有机半导体的层的结构,以及

其中所述第一n型有机半导体的层形成在所述金属氧化物的层一侧 上。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,

其中所述金属氧化物选自氧化铜、氧化钴、氧化锆、氧化钛、氧化 铌、氧化镍、氧化钕、氧化钒、氧化铋、氧化铍铝、氧化硼、氧化镁、 氧化钼、氧化镧、氧化锂、以及氧化钌。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,

其中所述金属氧化物选自氧化钛和氧化钼。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有p型有机半导体和 第二n型有机半导体的层叠结构。

5.一种太阳能电池,包括:

在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大 于2的整数,以及

在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间的导电薄膜层, 其中k是1≤k≤(n-1)的整数,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流, 以及

其中所述导电薄膜层包含:

包括金属氧化物的第一层;以及

包括第一p型有机半导体的第二层,该第一p型有机半导体被受主 掺杂。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有第二p型有机半导 体和n型有机半导体的层叠结构。

7.一种太阳能电池,包括:

在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大 于2的整数,以及

在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间的导电薄膜层, 其中k是1≤k≤(n-1)的整数,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流, 以及

其中所述导电薄膜层包含:

包括金属氧化物的第一层;以及

包括第一n型有机半导体的第二层,该第一n型有机半导体被施主 掺杂。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有p型有机半导体和 第二n型有机半导体的层叠结构。

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