[发明专利]芳香族酰胺酸组合物及制法和无端管状聚酰亚胺膜及制法

权利要求书

1.一种半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，

含有由2种以上的芳香族四羧酸成分和芳香族二胺以等摩尔量进行缩聚反应所获得的芳香族酰胺酸低聚物、炭黑和有机极性溶剂，

其中，形成芳香族酰胺酸低聚物的单体成分仅为芳香族四羧酸成分和芳香族二胺，

所述2种以上的芳香族四羧酸成分由至少一种非对称性芳香族四羧酸成分和至少一种对称性芳香族四羧酸成分构成。

2.如权利要求1所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，所述芳香族酰胺酸低聚物，是由2种以上的芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺以等摩尔量在有机极性溶剂中、在80℃以下的温度下进行缩聚反应所获得的芳香族酰胺酸低聚物，

所述2种以上的芳香族四羧酸二酐由至少一种非对称性芳香族四羧酸二酐和至少一种对称性芳香族四羧酸二酐构成。

3.如权利要求2所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，2种以上的芳香族四羧酸二酐，是由非对称性芳香族四羧酸二酐15～55摩尔％和对称性芳香族四羧酸二酐85～45摩尔％所构成的混合物。

4.如权利要求1所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，所述芳香族酰胺酸低聚物，是由2种以上的芳香族四羧酸二酯和芳香族二胺以等摩尔量在有机极性溶剂中、在90～120℃的温度下进行缩聚反应所获得的芳香族酰胺酸低聚物，

所述2种以上的芳香族四羧酸二酯由至少一种非对称性芳香族四羧酸二酯和至少一种对称性芳香族四羧酸二酯构成。

5.如权利要求4所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，2种以上的芳香族四羧酸二酯，是由非对称性芳香族四羧酸二酯15～55摩尔％和对称性芳香族四羧酸二酯85～45摩尔％所构成的混合物。

6.如权利要求1所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，所述芳香族酰胺酸低聚物的数均分子量为1000～7000。

7.如权利要求1所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，相对于芳香族四羧酸成分和芳香族二胺的合计量100重量份，炭黑的配合量是3～30重量份，

所述芳香族四羧酸成分由非对称性芳香族四羧酸成分和对称性芳香族四羧酸成分构成。

8.一种半导电性无端管状聚酰亚胺膜的制造方法，其特征在于，将权利要求1所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物进行旋转成形、加热处理。

9.一种由权利要求8所述的制造方法所制造的用于电子照相方式的中间复制带的半导电性无端管状聚酰亚胺膜。

10.一种半导电性芳香族酰胺酸组合物的制造方法，其特征在于，

在有机极性溶剂中，2种以上的芳香族四羧酸成分和芳香族二胺以等摩尔量进行部分缩聚反应，成为芳香族酰胺酸低聚物溶液，将该芳香族酰胺酸低聚物溶液与导电性炭黑粉体均匀混合，

所述2种以上的芳香族四羧酸成分由至少一种非对称性芳香族四羧酸成分和至少一种对称性芳香族四羧酸成分构成。

11.如权利要求1所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，芳香族二胺是4，4’-二氨基二苯醚。

12.如权利要求3所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，非对称性芳香族四羧酸二酐是2，3，3’，4’-联苯四羧酸二酐，对称性芳香族四羧酸二酐是3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐。

13.如权利要求5所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，非对称性芳香族四羧酸二酯是2，3，3’，4’-联苯四羧酸二甲酯，对称性芳香族羧酸二酯是3，3’，4，4’-联苯四羧酸二甲酯。

14.如权利要求2所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，2种以上的芳香族四羧酸二酐，是由非对称性芳香族四羧酸二酐20～50摩尔％和对称性芳香族四羧酸二酐80～50摩尔％所构成的混合物。

15.如权利要求4所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，2种以上的芳香族四羧酸二酯，是由非对称性芳香族四羧酸二酯20～50摩尔％和对称性芳香族四羧酸二酯80～50摩尔％所构成的混合物。

16.如权利要求1所述的半导电性芳香族酰胺酸组合物，其特征在于，半导电性芳香族酰胺酸组合物的不挥发分中的CB粉体的浓度为3～25重量％。