[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

基板；以及

多个薄膜晶体管，在从所述基板的一个主面观看时的平 面图上，至少沿一个方向线状设置；

所述多个薄膜晶体管中的每个均包括：

在所述基板上的预加热层，

在所述预加热层上的绝缘层，以及

薄膜半导体层，其一部分通过所述绝缘层与所述预加 热层重叠，

其中，所述预加热层除与所述薄膜半导体层重叠的部分 之外的部分具有平面形状，所述平面形状相对于在与所述一个 方向垂直相交的方向延伸的轴而线对称。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中

所述预加热层具有与所述薄膜半导体层重叠的第一区 域，以及除所述第一区域之外的第二区域，以及

所述第二区域具有平面形状，所述平面形状具有穿过所 述第一区域中心的线对称轴。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中

所述预加热层具有每个均与所述薄膜半导体层重叠的多 个第一区域，以及除所述多个第一区域之外的第二区域，

所述多个第一区域中的每个均具有长边彼此平行的矩形 平面形状，以及

所述第二区域具有平面形状，所述平面形状具有与所述 多个第一区域中的每个的所述长边中的每条边平行的线对称 轴。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述预加热层为所述 薄膜晶体管的栅电极，并且所述绝缘层为所述薄膜晶体管的栅 极绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述薄膜晶体管的栅 电极通过栅极绝缘膜形成在所述薄膜半导体层上。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中

所述薄膜半导体层由非晶硅制成，以及

所述预加热层由热容量比所述薄膜半导体层和所述绝缘 层中的每个都小而热导率比所述薄膜半导体层和所述绝缘层 中的每个都高的导电材料制成。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中

多个像素中的每个均包括发光是根据流过发光元件的电 流量来驱动的发光元件，以及被设置在所述发光元件的驱动电 流路径中的驱动晶体管，并且所述多个像素在从所述基板的一 个主面观看时的平面图上，以矩阵形式设置，以及

所述驱动晶体管为所述薄膜晶体管。

8.一种电子设备，包括：

基板；以及

多个薄膜晶体管，在从所述基板的一个主面观看时的平 面图上，至少沿一个方向线状设置；

所述多个薄膜晶体管中的每个均包括：

在所述基板上的预加热层，

在所述预加热层上的绝缘层，以及

薄膜半导体层，其一部分通过所述绝缘层与所述预 加热层重叠，

其中，从所述一个主面观看时的所述预加热层的平面形 状具有与所述薄膜半导体层重叠的至少一个第一区域，以及除 所述第一区域之外的第二区域，以及

所述第二区域的平面形状具有两个旋转对称部分，其中， 当一个旋转对称部分以旋转对称轴作为中心轴旋转180°时， 所述一个旋转对称部分与另一个旋转对称部分重叠。

9.一种电子设备制造方法，包括以下步骤：

在基板上形成多个薄膜晶体管，在从所述基板的一个主 面观看时的平面图上，所述多个薄膜晶体管至少沿一个方向线 状设置，

形成所述多个薄膜晶体管的步骤包括以下步骤：

在所述基板上形成预加热膜，

将所述预加热膜图案化为每个薄膜晶体管的预定平 面形状，

形成绝缘膜以覆盖所述多个预加热层的露出面，

在所述绝缘膜上形成半导体薄膜，

从所述一个方向的一侧向另一侧扫描激光束，并在所 述一个方向内交替改变所述扫描的方向的同时多次重复 所述扫描，并且对所述半导体薄膜进行退火，以及

对所述半导体薄膜进行图案化，以形成每个薄膜晶体 管的所述薄膜半导体层，其中

在图案化所述预加热膜的步骤中，所述预加热膜经图案 化以使每个薄膜晶体管的所述预加热膜的预定平面形状变成 相对于在与所述一个方向垂直相交的方向延伸的轴而线对称， 以及

在图案化所述半导体薄膜的步骤中，所述半导体薄膜经 图案化以形成所述薄膜半导体层，其中，除与所述预加热层部 分重叠的区域之外的区域的平面形状变成相对于所述轴而线 对称。