[发明专利]光学信息记录介质、记录和再生方法及装置以及记录粒子无效
申请号: | 200910158963.3 | 申请日: | 2009-07-10 |
公开(公告)号: | CN101625879A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 小岛直人 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/242;G11B7/241;G11B7/005;G11B7/0045 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 信息 记录 介质 再生 方法 装置 以及 粒子 | ||
1.一种光学信息记录介质,包括:
记录层,
其中,具有100nm以下直径的纳米粒子在被具有随光的照射而改变的复数介电常数的介质包围的情况下被设置,以及
由所述纳米粒子产生的局部等离振子共振的程度随所述介质的所述复数介电常数的改变而改变。
2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,
其中,所述记录层包括其中所述纳米粒子被包围在所述介质中的被排列的记录粒子。
3.根据权利要求2所述的光学信息记录介质,
其中,所述记录粒子中的1个粒子表示1位信息。
4.根据权利要求2所述的光学信息记录介质,
其中,所述记录粒子仅排列在其上将记录信息的磁道上。
5.根据权利要求2所述的光学信息记录介质,
其中,所述记录粒子与相邻的记录粒子以其间具有预定间隔而分离地排列。
6.根据权利要求2所述的光学信息记录介质,
其中,所述记录粒子在被铺满整个所述记录层上的情况下被排列。
7.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,
其中,所述介质包括随光的照射而转变为晶态或非晶态的相变材料。
8.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,
其中,所述纳米粒子包括Au、Ag、Pt、Al或Cu。
9.根据权利要求2所述的光学信息记录介质,
其中,所述记录粒子具有3nm以上且52nm以下的直径。
10.根据权利要求2所述的光学信息记录介质,
其中,所述纳米粒子具有1nm以上且50nm以下的直径。
11.根据权利要求2所述的光学信息记录介质,
其中,所述介质具有1nm以上且25nm以下的厚度。
12.根据权利要求1所述的光学信息记录介质,包括邻近所述记录层设置的并使光以高透射率通过的基板。
13.根据权利要求12所述的光学信息记录介质,
其中,所述基板在与所述记录层的界面处包括抗反射膜。
14.一种光学信息记录介质,包括:
记录层,
其中,具有100nm以下直径的金属粒子被随光的照射而转变为晶态或非晶态的相变材料所包围。
15.一种光学信息记录介质,包括:
记录层,
由具有100nm以下直径的纳米粒子和介质形成,
其上通过随记录光的照射改变所述介质的复数介电常数而记录信息,以及
基于随读取光的照射由所述纳米粒子产生的局部等离振子共振的程度的改变而从其再生信息。
16.一种记录粒子,
其中,具有100nm以下直径的纳米粒子被包围在具有随具有预定等级以上强度的光的照射而改变的复数介电常数的介质中。
17.一种记录粒子,包括具有100nm以下直径的纳米粒子和包围所述纳米粒子的介质,
其中,所述纳米粒子或所述介质中的任一个的复数介电常数随具有预定等级以上强度的光的照射而改变。
18.一种光学信息再生方法,包括以下步骤:
使光聚集并使光照射向光学信息记录介质;以及
检测在所述光学信息记录介质中产生的局部等离振子共振的程度。
19.一种光学信息再生装置,包括:
光照射部,使从光源发出的光聚集,并使光照射向光学信息记录介质;以及
检测部,检测在所述光学信息记录介质中产生的局部等离振子共振的程度。
20.根据权利要求19所述的光学信息再生装置,
其中,所述光照射部使由等离振子天线产生的近场光照射向所述光学信息记录介质。
21.根据权利要求19所述的光学信息再生装置,
其中,所述光照射部基于整个所述光照射部而具有1.0以上的数值孔径(NA)。
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