[发明专利]多频等离子体刻蚀反应器

权利要求书

1.一种在真空等离子处理舱中利用等离子处理工件的方法，其包 括采用三个或更多频率的电能来激发等离子体从而使得由三 个或更多频率所致的等离子体的激发同时地导致数个不同的 现象发生于等离子体内的步骤，其中这些现象影响入射在该工 件上的等离子体的等离子体的离子能量、等离子体的离子密度 和等离子体化学性质。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述频率的数量是三个。

3.如权利要求2所述的方法，包括选择频率以影响等离子体的密 度、等离子体的离子能量以及等离子体的化学性质，并且将选 中的频率施加到等离子体上。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述三个频率同时激发该等离 子体。

5.如权利要求2所述的方法，其中第一频率在100kHz到10MHz 范围内，第二频率在10MHz到150MHz范围内，第三频率在 27MHz到300MHz范围内。

6.如权利要求1所述的方法，还包括将等离子体限定在远离舱的 侧壁的区域内。

7.如权利要求6所述的方法，还包括在所述区域内控制等离子体 的压强。

8.如权利要求1所述的方法，还包括改变舱内的一对电极之间的 距离，其中等离子体就是在该对电极间被激发的。

9.如权利要求1所述的方法，还包括改变处于三个或更多频率中 的至少一个频率上的功率。

10.如权利要求6所述的方法，其中该区域包括在该区域相对侧上 的第一和第二电极，以及其中该三个或更多频率同时施加在该 第一电极上而第二电极处于参考电势。

11.一种在真空等离子处理舱中利用等离子处理工件的方法，其包 括如下步骤：

采用三个或更多频率的电能来激发等离子体从而使得由 三个或更多频率所致的等离子体的激发同时地导致数个不同 的现象发生于该入射到该工件的等离子体内；

利用一对相对的电极激发等离子体；

将处于三个或更多频率的至少一个的功率耦合至该电极 的至少一个；以及

有选择地将来自该电极之一的处于三个或更多频率之一 的功率耦合至RF接地。

12.一种在真空等离子处理舱中利用等离子处理工件的方法，其包 括如下步骤：

采用三个或更多频率的电能来激发入射到该工件的等离 子体从而使得由三个或更多频率所致的等离子体的激发同时 地导致数个不同的现象发生于该等离子体内；

利用一对相对的电极激发该等离子体；

在处理工件的同时控制该相对的电极的温度。

13.一种用等离子体处理工件的装置，包括用于用等离子体处理工 件的真空舱，以及用于用处于三个或更多频率的电能激发等离 子，从而使得由该三个或更多频率所致的等离子体激发同时导 致不同现象发生于等离子体内的电源装置，其中该现象影响入 射到该工件上的等离子体的等离子体离子能量、等离子体离子 密度和等离子体化学性质。

14.如权利要求13所述的装置，其中所述频率的第一频率在 100kHz到10MHz范围内，所述频率的第二频率在10MHz到 150MHz范围内，而所述频率的第三频率在27MHz到300MHz 范围内。