[发明专利]静电保护装置

权利要求书

1.一种静电保护装置，其连接于用于提供供电电压的电源线与地线之间，其特征在于：该静电保护装置包括分压电路、基准电压电路、比较电路及开关电路，该分压电路用于对电源线提供的电压进行分压，以产生取样电压，该基准电压电路用于接收电源线提供的供电电压，以产生基准电压，该比较电路用于将取样电压与基准电压进行比较，并在取样电压大于基准电压时输出第一电平信号给开关电路，该开关电路根据该第一电平信号导通以将电源线与地线连接，该比较电路还在取样电压小于基准电压时输出第二电平信号给开关电路，该开关电路根据该第二电平信号关断以切断电源线与地线之间的电性连接。

2.如权利要求1所述的静电保护装置，其特征在于：该基准电压电路还用于接收电源线提供的供电电压，以产生参考电压，该比较电路接收该参考电压以上电工作。

3.如权利要求1所述的静电保护装置，其特征在于：该第一电平信号为高电平电压信号，该第二电平信号为低电平电压信号。

4.如权利要求1所述的静电保护装置，其特征在于：该基准电压电路包括电阻和多个MOS管，该基准电压电路产生的基准电压大于分压电路对电源线上产生之噪声电压进行分压所产生的取样电压。

5.如权利要求1所述的静电保护装置，其特征在于：该开关电路包括一NMOS管，该NMOS管的栅极与比较电路相连，漏极连接电源线，源极连接地线。

6.如权利要求1所述的静电保护装置，其特征在于：该分压电路包括用于输出取样电压的取样电压端，第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管及第三PMOS管，该第一NMOS管的源极与地线连接，栅极和漏极共同与取样电压端相连，该第一PMOS管的栅极连接地线，漏极与第一NMOS管的漏极连接，源极与第一PMOS管的漏极相连，该第二PMOS管的栅极连接地线，源极分别与第三PMOS管的漏极和栅极相连，该第三PMOS管的源极与电源线相连，该取样电压端与比较电路连接。

7.如权利要求6所述的静电保护装置，其特征在于：该基准电压电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、电阻、用于输出参考电压的参考电压端及用于输出基准电压的基准电压端，该第二NMOS管的源极通过电阻连接地线，栅极与第三NMOS管的栅极相连，漏极与第四NMOS管的源极相连，该第三NMOS管的栅极与基准电压端相连，源极连接地线，漏极与第五NMOS管的源极相连，该第四NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极相连，栅极与第五NMOS管的栅极相连，该第五NMOS管的栅极与漏极相连，漏极与第五PMOS管的漏极相连，第四PMOS管的栅极与漏极相连，源极与电源线相连，第五PMOS管的栅极分别与第四PMOS管的栅极和参考电压端相连，源极与电源线相连，该参考电压端及基准电压端均与比较电路连接。

8.如权利要求6所述的静电保护装置，其特征在于：该比较电路包括第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管及第九PMOS管，该第六NMOS管的源极连接地线，栅极与漏极相连，该第七NMOS管的源极与地线相连，栅极与第六NMOS管的栅极相连，该第八NMOS管的源极与地线相连，栅极与该第七NMOS管的漏极相连，该第六PMOS管的栅极与基准电压端相连，漏极与第六NMOS管的漏极相连，源极与第七PMOS管的源极相连，该第七PMOS管的栅极与取样电压端相连，漏极与第七NMOS管的漏极相连，该第八PMOS管的栅极与参考电压端相连，源极连接电源线，漏极与第六NMOS管的源极相连，该第九PMOS管的栅极与参考电压端相连，源极连接电源线，该第九PMOS管的漏极与第八NMOS管的漏极相连的一端连接开关电路。

9.如权利要求1所述的静电保护装置，其特征在于：该分压电路包括第一NMOS管、第九NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及用于输出取样电压的取样电压端，该第一NMOS管的源极与地线连接，栅极与漏极相连，该第九NMOS管的栅极与电源线相连，源极与第一NMOS管的漏极连接，漏极与取样电压端连接，该第二PMOS管的栅极与地线相连，漏极与第九NMOS管的漏极连接，源极与第三PMOS管的漏极连接，该第三PMOS管的栅极与漏极连接，源极与电源线相连，该取样电压端与比较电路相连。